1MBI200F-120 Fuji Electric holdings CO.,Ltd, 1MBI200F-120 Datasheet
1MBI200F-120
Manufacturer Part Number
1MBI200F-120
Description
Igbt Module F Series 1200v / 200a 1 In One-package
Manufacturer
Fuji Electric holdings CO.,Ltd
Datasheet
1.1MBI200F-120.pdf
(3 pages)
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Company:
Part Number:
1MBI200F-120
Manufacturer:
Semikron
Quantity:
1 000
Part Number:
1MBI200F-120
Manufacturer:
FUJITSU/富士通
Quantity:
20 000
Part Number:
1MBI200F-120
Quantity:
50
1MBI200F-120
1200V / 200A 1 in one-package
低飽和電圧 Low Saturation Voltage
電圧駆動(MOSｹﾞｰﾄ構造） Voltage Drive
豊富な容量系列 Variety of Power Capacity Series
ﾓｰﾀｰ駆動用ｲﾝﾊﾞｰﾀ Inverter for Motor Drive
AC,DCｻｰﾎﾞｱﾝﾌﾟ AC and DC Servo Drive Amplifier
無停電電源装置 Uninterruptible Power Supply
溶接機等の産業用機器
Item
コレクタ・エミッタ間電圧
ゲート・エミッタ間電圧
コレクタ電流
最大損失
接合部温度
保存温度
質量
絶縁耐量
締付けトルク
*
*
*
Item
コレクタ・エミッタ間遮断電流
ゲート・エミッタ間漏れ電流
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
入力容量
出力容量
帰還容量
ターンオン時間
ターンオフ時間
ダイオード順電圧
逆回復時間
Items
熱抵抗
1推奨値 :
2推奨値 :
3推奨値 :
Industrial Machines, such as Welding Machines
熱的特性
熱的特性
熱的特性
熱的特性
熱的特性： ： ： ： ： Thermal resistance characteristics
電気的特性
電気的特性
電気的特性： ： ： ： ： Electrical characteristics (Tj=25°C)
電気的特性
電気的特性
絶対最大定格
絶対最大定格
絶対最大定格
絶対最大定格
絶対最大定格： ： ： ： ： Absolute maximum ratings
特長
特長
特長
特長
特長： ： ： ： ： Features
用途
用途
用途： ： ： ： ： Applications
用途
用途
定格と特性
定格と特性
定格と特性
定格と特性： ： ： ： ： Maximum ratings and characteristics
定格と特性
Recommendable value : 2.5 to 3.5 N·m [25 to 35kgf·cm] (M5)
Recommendable value : 3.5 to 4.5 N·m [35 to 45kgf·cm] (M6)
Recommendable value : 1.3 to 1.7 N·m [13 to 17kgf·cm] (M4)
1ms
連続
1ms
連続
Symbol
V
V
IC
IC pulse
-I
-I
P
T
T
V
Mounting *
Terminals *
Terminals *
Symbol
I
I
V
V
C
C
C
t
t
t
t
V
t
Rth(j-c)
Rth(j-c)
Rth(c-f)
stg
CES
GES
C
C
C
j
on
off
f
CES
GES
r
rr
is
Symbol
GE(th)
CE(sat)
ies
oes
res
F
pulse
2
3
1
IGBT
Diode
With Thermal compound
Test Conditions
V
V
V
V
V
V
f=1MHz
V
I
V
R
I
I
C
F
F
GE
CE
CE
GE
GE
CE
CC
GE
G
=200A, V
=200A,-di/dt=600A/µs,V
=200A
-40 to +125
AC 2500 (1min. )
=4.7 ohm
=20V, I
Test Conditions
=0V, V
=0V, V
=15V, I
=0V
=10V
=±15V
=600V
Rating
(200A)
1200
1440
+150
±20
200
400
200
400
415
3.5
4.5
1.7
CE
GE
C
C
GE
=200mA
=200A
=1200V, Tj=25°C
=±20V
=0V
Unit
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
g
V
N·m
N·m
N·m
Resitive load
Inductive load
GE
=-10V
Equivalent Circuit Schematic
CASE
外形寸法
外形寸法
外形寸法
外形寸法
外形寸法 Outline Drawings
UL
等価回路
等価回路
等価回路
等価回路
等価回路
Characteristics
Characteristics
Min.
Min.
–
–
3.0
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
36000
Typ.
Typ.
M116
E82988(M)
–
–
0.0125
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
IGBT Module
0.087
0.167
–
Max.
Max.
400
350
4.0
6.0
2.5
–
–
–
0.8
0.6
1.5
1.0
2.5
Unit
Unit
mA
nA
V
V
pF
µs
V
ns
°C/W
°C/W
°C/W
mm
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R
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Fuji Electric holdings CO.,Ltd
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POWER TRANSISTOR MODULE
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Fuji Electric holdings CO.,Ltd
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Fuji Electric holdings CO.,Ltd
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IGBT(1200V 8A)
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IGBT MODULE(1200V 15A)
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Fuji Electric holdings CO.,Ltd
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IGBT(600V,400A)
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IGBT MODULE ( S-Series )
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POWER DIODE MODULE
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IGBT(600V 20A)
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IGBT MODULE
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... Features 低飽和電圧 Low Saturation Voltage 電圧駆動(MOSｹﾞｰﾄ構造） Voltage Drive 豊 ...
Page 2
... Characteristics IGBT Module ...
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... IGBT Module ...