T3159N18TOFVT Infineon Technologies Corporation, T3159N18TOFVT Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: T3159N18TOFVT
• Description: Scr Diode Discs Up To 2000v Phase Control Thyristors
• Manufacturer: Infineon Technologies Corporation

SZ-MA / 10.Februar 98, K.-A.Rüther
N
Phase Control Thyristor
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
Steueranschlüsse
control terminals
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
Netz-Thyristor
Mechanische Eigenschaften
Datenblatt / Data sheet
Thermische Eigenschaften
A 103/98
T3159N
f = 50 Hz
T
v
dv
4.Kennbuchstabe / 4
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sides
einseitig / single-sides
RM
vj
D
= T
/dt = 20 V/µs, -di
= 100 V, v
vj max
, i
TM
DM
= I
Kathode / cathode
= 0,67 V
TAVM
T
th
/dt = 10 A/µs
letter O
DRM
Gate
R
R
T
T
T
G
t
F
q
vj max
c op
stg
thJC
thCH
Seite/page
typ.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
typ.
A 2,8x0,8
A 4,8x0,8
-40...+125 °C
-40...+150 °C
Seite 3
page 3
42...95
0,0085
0,0078
0,0152
0,0146
0,0183
0,0169
0,0025
0,0050
250
1200 g
125 °C
30 mm
50 m/s²
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
kN
2/10
µs