MCH3312 Sanyo Semiconductor Corporation, MCH3312 Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: MCH3312
• Description: Ultrahigh-speed Switching P-channel Silicon Mosfet
• Manufacturer: Sanyo Semiconductor Corporation

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Switching Time Test Circuit
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
--2.0
--1.6
--1.2
--0.8
--0.4
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0
0
0
I D = --0.5A
--0.1
--2
Parameter
--10V
P.G
--0.2
--4
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
0V
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
PW=10 s
D.C. 1%
--1.0A
--0.3
V IN
--6
R DS (on) -- V GS
--0.4
I D -- V DS
--8
V IN
--0.5
--10
G
50
--0.6
--12
Symbol
t d (on)
t d (off)
V DD = --15V
Coss
Ciss
Crss
V SD
Qgs
Qgd
Qg
D
--0.7
t r
t f
--14
S
I D = --1A
R L =15
--0.8
--16
MCH3312
Ta=25 C
V DS =--10V, f=1MHz
V DS =--10V, f=1MHz
V DS =--10V, f=1MHz
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
V DS =--10V, V GS =- -10V, I D =--2A
V DS =--10V, V GS =- -10V, I D =--2A
V DS =--10V, V GS =- -10V, I D =--2A
I S =--2A, V GS =0
--0.9
--18
IT03223
IT03225
V OUT
MCH3312
--1.0
--20
Conditions
--5.0
--4.5
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0
--60
0
V DS = --10V
--40
--0.5
--20
--1.0
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
Ambient Temperature, Ta -- C
0
--1.5
min
R DS (on) -- Ta
20
I D -- V GS
--2.0
40
Ratings
typ
--0.85
--2.5
60
0.98
0.82
200
7.2
2.9
8.7
5.5
47
32
21
80
--3.0
max
100
--1.5
--3.5
120
No.7009-2/4
--4.0
140
Unit
IT03224
IT03226
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
--4.5
160