TT101F14KFM Infineon Technologies Corporation, TT101F14KFM Datasheet - Page 5

• Manufacturer Part Number: TT101F14KFM
• Description: Diode Modules Up To 1400v Diode Fast
• Manufacturer: Infineon Technologies Corporation

Q
i
v
r
T
[
G
10000
[
µAs
[
600
500
400
300
200
100
6000
0,8
0,6
0,4
0,2
A
2000
1000
V
0,1
30
20
10
600
400
200
100
]
]
8
6
2
60
40
20
10
4
1
0
]
10
1
TT 101 F1/13
Bild / Fig. 13
Diagramm zur Ermittlung der Summe aus Einschalt- und Durchlaßverlust-
leistung (P
Diagram for the determination of the sum of the turn-on and on-state power
loss per arm (P
Bild / Fig. 15
Zündbereich und Spitzensteuerleistung bei v
Gate characteristic and peak power dissipation at v
Parameter:
__________________________________________________________
Steuerimpulsdauer/Pulse duration t
__________________________________________________________
Höchstzulässige Spitzensteuerleistung/
Maximum allowable peak gate power
__________________________________________________________
TT 101 F 08...14
Bild / Fig. 17
Sperrverzögerungsladung Q
t
Parameter: Durchlaßstrom I
Recovert charge Q
t
Parameter: on-state current I
T 72 F15 / T102 F/15
vj
vj
= t
= t
vj max
vj max
20
2
TT
, v
, vR = 0,5 V
R
+ P
40 60 100
4
= 0,5 V
TT
T
50
) je Zweig.
+ P
r
6
= f(di/dt)
T
RRM
RRM
).
mA
10
, v
, v
TM
r
TM
RM
RM
= f(di/dt)
200
20
/
= 0,8 V
= 0,8 V
g
100
400 600
40
RRM
RRM
[ms]
[W]
60
D
= 6V.
100
1
- di
D
10
20
a
= 6V.
T
/dt
150
P
200
TT
2
0,06
0,04
0,02
0,6
0,4
0,2
0,1
10
40
20
i
6
4
2
1
40
TM
[
+ P
b
A/µs
1
t [µs]
A
= 500 A
T
400
a
]
i
[
4
G
kW
0,5
c
60
600
b
200 A
100 A
]
6
50 A
20 A
10 A
c
1ms
200
10
t
gd
100
[µs]
i
1000
3000
0,6
0,4
0,2
0,1
T M
600
400
200
100
60
10
20
[A]
60
40
30
6
4
2
1
4 0
10
0,06
0,02
Bild / Fig. 14
Diagramm zur Ermittlung der Gesamtenergie W
Durchlaß-Strompuls für einen Zweig.
Diagram for the determination of the total energy W
on-state current pulse for one arm.
i
Steuergenerator/Pulse generator:
i
T 72 F16 / T 102 F/16
Bild / Fig. 16
Zündverzug/Gate controlled delay time t
DIN 41787, t
a - außerster Verlauf/limiting characteristic
b - typischer Verlauf/typical charcteristic
0,04
0,01
mWs
mWs
TT 101 F2/14
0,6
0,4
0,2
0,1
T
G
6
4
2
i
= 0,6 A, t
TM
6 0
20
t
p
100
a
a
= 1µs
t
40 60 100
= 1 µs, t
1
Lastkreis/load circuit:
v
v
dv
DM
RM
R
200
µs
/dt
vj
mA
= 25°C.
0,67 V
100 V/µs
2
50 V
400 600
200
DRM
4
400 600
gd
,
1
6
tot
1
für einen sinusförmigen
10
R
C
2
RC-Glied/RC network:
R
C
tot
[ ]
W
2
for a sinusoidal
m s
tot
b
a
TT 101 F
0,02 . v
0,15µF
A
4
[
Ws
t
p
i
4
G
]
6
DM
6
[
V
1 0
10
]