AT86RF212 Atmel Corporation, AT86RF212 Datasheet - Page 109

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AT86RF212

Manufacturer Part Number
AT86RF212
Description
Manufacturer
Atmel Corporation
Datasheets

Specifications of AT86RF212

Max. Operating Frequency
0 MHz
Crypto Engine
AES
Operating Voltage (vcc)
1.8 to 3.6
Frequency Band
700/800/900MHz
Max Data Rate (mb/s)
1
Antenna Diversity
No
External Pa Control
Yes
Power Output (dbm)
10
Receiver Sensitivity (dbm)
-110
Receive Current Consumption (ma)
9.0
Transmit Current Consumption (ma)
18 at 5dBm
Link Budget (dbm)
120

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
AT86RF212-ZU
Manufacturer:
HITTITE
Quantity:
5 000
Part Number:
AT86RF212-ZU
Manufacturer:
ATMEL/爱特梅尔
Quantity:
20 000
Part Number:
AT86RF212-ZUR
Manufacturer:
MICROCHIP/微芯
Quantity:
20 000
Part Number:
AT86RF212B-ZU
Manufacturer:
MICROCHIP/微芯
Quantity:
20 000
Company:
Part Number:
AT86RF212B-ZUR
Quantity:
3 320
8168B-MCU Wireless-03/09
表 7-13 寄存器 0x05(PHY_TX_PWR)
・第 7 位-PA_BOOST
此位可启动 PA 加速模式,当 PA_BOOST=1 时,TX 输出功率提高约 5 dB。在 PA 加速模式中,
较之 PA_BOOST=0 时的正态分布模式,PA 的线性降低。因此,TX 功率谱的频谱旁瓣升高,斜
坡功率升高。
因此, 较高的 TX 功率设置不能满足欧洲 868.3MHz 频段的规管关于邻近频段杂散发射的要求 (见
ETSI EN 300 220,ERC/REC70-03,和 ERC/DEC/(01)04) 。
・6:5 位—GC_PA
此等寄存器位通过改变 PA 的偏置电流,控制 PA 增益。只能在 TRX_OFF 模式中对 GC_PA 进行
设置。 当通过 TX_PWR 控制字选择了一个低 TX 功率时, 此位可用于降低 TX 模式中的电源电流。
PA 偏置电流的下降导致 RF 增益和 PA 的 1dB 压缩点降低。因此,建议只将 PA 的降低偏置电流
与 TX_PWR 的较低值结合使用。表 7-15 列出了 TX_PWR 和 GC_PA 之间的合理组合。
表 7-14 AT86RF212 相对于 GC_PA=3 的增益的 PA 增益下降
・4:0 位-TX_PWR
此等寄存器位控制发送器输出功率。TX_PWR 值表示相对于输出管理最大值的功率下降。当
GC_TX=0 时,输出功率达到最大值。分辨率为 1dB/步长。因为 TX_PWR 调节 PA 之前的 TX 通
路中增益,所以就 PA 效率而言,PA 偏置设置并非适用于 TX_PWR 的最优化设置。
当 PA 偏置随着 TX 功率设置 (TX_PWR 值上升) 降低时 (GC_PA 值减小) , 可提高 PA 功率效率。
表 7-15 为 TX 功率控制(TX_PWR) ,PA 偏置控制(GC_PA)和 PA 加速模式(PA_BOOST)的推
荐组合列表。列出了寄存器 0x05 中的 8 位字对应的 TX 功率建议对应。TX_PWR 值应在 0 至 12
的范围内,以便保证发送信号的质量。
名称
读取/写入
复位值
名称
读取/写入
复位值
寄存器位
GC_PA
PA_BOOST
TX_PWR
R/W
R/W
7
0
3
0
0
1
2
3
TX_PWR
GC_PA
R/W
R/W
6
1
2
0
TX_PWR
GC_PA
R/W
R/W
5
1
1
0
PA 增益[dB]
-2.9
-1.3
-0.9
0
AT86RF212
TX_PWR
TX_PWR
R/W
R/W
4
0
0
0
109

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