1DI200Z-100 Fuji Electric holdings CO.,Ltd, 1DI200Z-100 Datasheet

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1DI200Z-100

Manufacturer Part Number
1DI200Z-100
Description
Manufacturer
Fuji Electric holdings CO.,Ltd
Datasheet

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
1DI200Z-100
Manufacturer:
FUJI
Quantity:
23
Part Number:
1DI200Z-100
Manufacturer:
FUJI
Quantity:
530
Part Number:
1DI200Z-100
Manufacturer:
FUJITSU/富士通
Quantity:
20 000
Part Number:
1DI200Z-100
Quantity:
50
Part Number:
1DI200Z-100-E
Manufacturer:
FUJI
Quantity:
1 000
Part Number:
1DI200Z-100-E
Quantity:
50
1DI200Z-100
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
Item
コレクタ・ベース間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタ電流
ベース電流
コレクタ損失
接合部温度
保存温度
質量
絶縁耐圧      AC.1min
締付けトルク
Item
コレクタ・ベース間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
コレクタ・エミッタ電圧
直流電流増幅率
コレクタ・エミッタ飽和電圧
ベース・エミッタ飽和電圧
スイッチング時間
逆回復時間
絶縁形 
絶縁形 
絶縁形 
絶縁形 
絶縁形 Insulated Type
チョッパ
チョッパ
ACモータ
ACモータ
ACモータ
ACモータ
ACモータ制御 
DCモータ
DCモータ
DCモータ
DCモータ
DCモータ制御 
ASO
ASO
ASO
ASO
ASO が広い 
チョッパ
チョッパ
チョッパ制御 
高耐圧 
高耐圧 
高耐圧 
高耐圧 
高耐圧 High Voltagee
フリーホイリングダイオード
フリーホイリングダイオード
無停電電源装置 
無停電電源装置 
無停電電源装置 
無停電電源装置 
無停電電源装置 Uninterruptible Power Supply
フリーホイリングダイオード
フリーホイリングダイオード
フリーホイリングダイオード内臓
電気的特性
電気的特性
電気的特性
電気的特性
電気的特性
熱 抵 抗
Item
熱的特性
熱的特性
熱的特性
熱的特性
熱的特性 : : : : : Thermal characteristics
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
Absolute maximum ratings (Tc=25°C unless otherwise specified)
用途
用途
用途
用途
用途: : : : : Applications
特長
特長
特長
特長
特長: : : : : Features
が広い 
が広い 
が広い 
が広い Excellent Safe Operating Area
制御 
制御 
制御 
制御 AC Motor Controls
制御 
制御 
制御 
制御 DC Motor Controls
制御 
制御 
制御 
制御 Chopper Controls
Electrical characteristics (T
: Maximum ratings and characteristic
 DC
D C
1ms
1ms
DC
one Transistor
two Transistor
内臓
内臓
内臓
内臓 Including Free Wheeling Diode
Symbol
V
V
V
I
I
-I
I
I
P
P
T
T
m
Viso
Mounting *1
Terminal *2
B
R
R
R
C
CP
BP
Symbol
C
C
C
j
stg
Symbol
V
V
V
V
V
I
I
-V
h
V
V
t
t
t
trr
CBO
CEO
EBO
CBO
EBO
on
stg
f
th(j-c)
th(j-c)
th(c-f)
FE
CBO
CEO
CEO(SUS)
CEX(SUS)
EBO
CE(Sat)
BE(Sat)
CE
(200A)
c
=25°C unless otherwise specified)
Rating
With Thermal Compound
Test Conditions
I
I
-
V
I
V
V
I
I
I
I
I
I
I
Recovery Diode
Transistor
-40 to +125
CBO
C
EBO
C
C
C
C
C
B1
C
BE
CBO
EBO
=200A, V
Test Conditions
= 4mA
= 200A, V
= 200A, I
= -200A,
= 200A, V
= 200A,
1000
1000
1400
+150
2500
= +2.8A, I
200
400
200
460
= 800mA
= -3V
= 4mA
10
12
24
= 10V
= 1000V
3.5
1.7
4.5
-
B
BE
CE
CE
B2
= 2.8A
=-6V, -di/dt=200A/ µ s
= 2.5V, Tj=125 °C
= -4.0A
= 5V
Unit
W
W
°C
°C
N・m
N・m
N・m
V
V
V
A
A
A
A
A
g
V
FUJI POWER TRANSISTOR MODULE
Note:
*1:推奨値 Recommendable Value;
*1:推奨値 Recommendable Value;
CASE
CASE
CASE
UL
UL
UL
CASE
CASE
UL
UL
外形寸法
外形寸法
外形寸法
外形寸法
外形寸法: : : : : Outline Drawings
等 価 回 路
等 価 回 路
等 価 回 路 : : : : :
等 価 回 路
等 価 回 路
Equivalent Circuit Schematic
Min.
Min.
1000
1000
1000
100
M106
M106
2.5to3.5N・m[25to35kgf・cm]
M106
M106
M106
1.4to1.6N・m[14to16kgf・cm](M4)
3.5to4.0N・m[35to40kgf・cm](M6)
75
E82988(M)
E82988(M)
E82988(M)
E82988(M)
E82988(M)
10
-
Typ.
Typ.
0.03
Max.
800
Max.
0.35
0.089
12.0
4.0
1.8
2.8
3.5
2.5
2.0
0.7
(M5)or(M6)
Units
Units
°C/W
°C/W
°C/W
V
V
V
V
V
mA
mA
V
-
-
V
V
µs
µs
µs
µs
[mm]
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