2DI50Z-140 Fuji Electric holdings CO.,Ltd, 2DI50Z-140 Datasheet
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2DI50Z-140
Manufacturer Part Number
2DI50Z-140
Description
Manufacturer
Fuji Electric holdings CO.,Ltd
Datasheet
1.2DI50Z-140.pdf
(3 pages)
Available stocks
Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
2DI50Z-140
Manufacturer:
FUJITSU/富士通
Quantity:
20 000
Company:
Part Number:
2DI50Z-140(A)
Manufacturer:
C&D
Quantity:
1 000
Part Number:
2DI50Z-140(A)
Quantity:
50
2DI50Z-140
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
無停電電源装置
無停電電源装置
無停電電源装置 Uninterruptible Power Supply
無停電電源装置
無停電電源装置
コレクタ・ベース間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタ電流
ベース電流
コレクタ損失
接合部温度
保存温度
質量
絶縁耐圧 AC.1min
締付けトルク
Item
コレクタ・ベース間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
コレクタ・エミッタ間電圧
直流電流増幅率
コレクタ・エミッタ飽和電圧
ベース・エミッタ飽和電圧
スイッチング時間
逆回復時間
短絡耐量
Item
絶縁形
絶縁形
絶縁形 Insulated Type
高耐圧
高耐圧 High Voltage
高耐圧
ASO
ASO
ASO
ASO
ASO が広い
絶縁形
絶縁形
高耐圧
高耐圧
フリーホイリングダイオード
フリーホイリングダイオード
フリーホイリングダイオード内蔵
フリーホイリングダイオード
フリーホイリングダイオード
DCモータ
DCモータ
DCモータ
DCモータ
DCモータ制御
ACモータ
ACモータ
ACモータ
ACモータ
ACモータ制御
熱 抵 抗
電気的特性
電気的特性
Item
大電力
大電力
大電力スイッチング
電気的特性
電気的特性
電気的特性
大電力
大電力
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
熱的特性
熱的特性
熱的特性 : : : : : Thermal characteristics
熱的特性
熱的特性
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
用途
用途
用途
用途: : : : : Applications
用途
Absolute maximum ratings (Tc=25°C unless otherwise specified)
特長
特長
特長
特長: : : : : Features
特長
が広い
が広い
が広い
が広い Excellent Safe Operating Area
制御
制御
制御
制御
制御
制御 DC Motor Controls
制御
制御 AC Motor Controls
スイッチング
スイッチング
スイッチング High Power Switching
スイッチング
:
Electrical characteristics (T
DC
: Maximum ratings and characteristic
DC
two Transistor
D C
1ms
1ms
one Transistor
内蔵
内蔵 Including Tree Wheeling Diode
内蔵
内蔵
Symbol
V
V
V
V
I
I
-I
I
I
P
P
T
T
m
Viso
Mounting *1
Terminal *1
B
R
R
R
C
CP
BP
Symbol
C
C
C
j
stg
Symbol
V
V
V
V
V
I
I
-V
h
V
V
t
t
t
t
E
CBO
CEO
CEO(SUS)
EBO
CBO
EBO
on
stg
f
rr
th(j-c)
th(j-c)
th(c-f)
FE
d
CBO
CEO
CEO(SUS)
CEX(SUS)
EBO
CE(Sat)
BE(Sat)
CE
(50A)
c
=25°C unless otherwise specified)
Rating
With Thermal Compound
-40 to +125
Transistor
Test Conditions
I
I
I
V
V
-Ic = 50A
I
I
I
I
I
I
I
-Ic=50A,V
I
Recovery Diode
CBO
C
EBO
C
C
C
C
C
B1
B2
B1
Test Conditions
CBO
EBO
1400
1400
+150
2500
= 10mA
= 50A, V
= 50A, V
= 50A, V
= 50A, I
= 50A
100
400
800
175
= +0.7A
= -1A
= +0.7A, I
10
50
50
= 10mA
= 200mA
3
6
3.5
3.5
= 10V
= 1400V
-
B
BE
CE
CE
CE
= 0.7A
=-6V, -di/dt=50A/ µ s
B2
= 2.5V, Tj=125 °C
= 5V
= 5V
= -1A, Pw=50 µ s
Unit
°C
°C
N・m
N・m
W
W
g
V
V
V
V
A
A
A
A
A
V
FUJI POWER TRANSISTOR MODULE
Note:
*1:推奨値 Recommendable Value;
CASE
CASE
CASE
CASE
CASE
外形寸法
外形寸法
外形寸法
外形寸法
外形寸法: : : : : Outline Drawings
UL
UL
UL
UL
UL
等 価 回 路
等 価 回 路
等 価 回 路
等 価 回 路
等 価 回 路 : : : : :
Equivalent Circuit Schematic
Min.
Min.
1400
1400
-
1200
750
100
100
75
10
2.5to3.5N・m[25to35kgf・cm](M5)
M204
M204
M204
M204
M204
E82988(M)
E82988(M)
E82988(M)
E82988(M)
E82988(M)
Typ.
Typ.
0.06
-
200
Max.
Max.
1.2
15.0
0.31
1.0
2.0
2.8
3.5
3.0
2.0
0.8
Units
Units
°C/W
°C/W
°C/W
V
V
V
V
V
mA
mA
V
-
V
V
µs
µs
µs
µs
V
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