1DI300Z-100 Fuji Electric holdings CO.,Ltd, 1DI300Z-100 Datasheet

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1DI300Z-100

Manufacturer Part Number
1DI300Z-100
Description
POWER TRANSISTOR MODULE?
Manufacturer
Fuji Electric holdings CO.,Ltd
Datasheet

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
1DI300Z-100
Manufacturer:
FUJI
Quantity:
23
Part Number:
1DI300Z-100
Manufacturer:
ASTEC
Quantity:
560
Part Number:
1DI300Z-100
Quantity:
50
Part Number:
1DI300Z-100-E
Manufacturer:
FUJI
Quantity:
1 000
Part Number:
1DI300Z-100-E
Quantity:
50
1DI300Z-100
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
Item
コレクタ・ベース間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタ電流
ベース電流
コレクタ損失
接合部温度
保存温度
質量
絶縁耐圧      AC.1min
締付けトルク
Item
コレクタ・ベース間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
コレクタ・エミッタ間電圧
直流電流増幅率
コレクタ・エミッタ飽和電圧
ベース・エミッタ飽和電圧
スイッチング時間
逆回復時間
絶縁形 
絶縁形 
絶縁形 
絶縁形 
絶縁形 Insulated Type
チョッパ
チョッパ
ACモータ
ACモータ
ACモータ制御 
ACモータ
ACモータ
DCモータ
DCモータ
DCモータ制御 
DCモータ
DCモータ
ASO
ASO
ASO
ASO
ASO が広い 
チョッパ
チョッパ制御 
チョッパ
高耐圧 
高耐圧 
高耐圧 
高耐圧 
高耐圧 High Voltagee
フリーホイリングダイオード
フリーホイリングダイオード
無停電電源装置 
無停電電源装置 
無停電電源装置 
無停電電源装置 
無停電電源装置 Uninterruptible Power Supply
フリーホイリングダイオード
フリーホイリングダイオード
フリーホイリングダイオード内臓
電気的特性
電気的特性
電気的特性
電気的特性
電気的特性
熱 抵 抗
Item
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
熱的特性
熱的特性
熱的特性
熱的特性
熱的特性 : : : : : Thermal characteristics
Absolute maximum ratings (Tc=25°C unless otherwise specified)
用途
用途
用途: : : : : Applications
用途
用途
特長
特長
特長: : : : : Features
特長
特長
が広い 
が広い 
が広い 
が広い Excellent Safe Operating Area
制御 
制御 
制御 AC Motor Controls
制御 
制御 
制御 
制御 DC Motor Controls
制御 
制御 
制御 
制御 Chopper Controls
制御 
Electrical characteristics (T
: Maximum ratings and characteristic
 DC
D C
1ms
1ms
DC
one Transistor
two Transistor
内臓
内臓
内臓
内臓 Including Free Wheeling Diode
Symbol
V
V
V
I
I
-I
I
I
P
P
T
T
m
Viso
Mounting *1
Terminal *2
B
R
R
R
C
CP
BP
Symbol
C
C
C
j
stg
Symbol
V
V
V
V
V
I
I
-V
h
V
V
t
t
t
trr
CBO
CEO
EBO
CBO
EBO
on
stg
f
th(j-c)
th(j-c)
th(c-f)
FE
CBO
CEO
CEO(SUS)
CEX(SUS)
EBO
CE(Sat)
BE(Sat)
CE
(300A)
c
=25°C unless otherwise specified)
Rating
With Thermal Compound
Test Conditions
I
I
V
I
V
V
-I
I
I
I
I
I
-I
Recovery Diode
-40 to +125
CBO
C
EBO
C
C
C
C
B1
Transistor
C
C
BE
CBO
EBO
Test Conditions
= 4mA
= 300A, V
= 300A, V
= 300A, I
= 300A,
=300A, VBE=-6V, -di/sdt=300A/ µ s
1000
1000
2000
+150
2500
= 300A
= +4A, I
300
600
300
460
= -3V
= 800mA
= 4mA
10
16
32
= 10V
= 1000V
3.5
1.7
4.5
-
B2
B
CE
CE
= 4A
= -6A
= 2.5V, Tj=125 °C
= 5V
Unit
W
W
°C
°C
N・m
N・m
N・m
g
V
V
V
A
A
A
A
A
V
FUJI POWER TRANSISTOR MODULE
Note:
*1:推奨値 Recommendable Value;
*2:推奨値
CASE
CASE
CASE
UL
UL
UL
CASE
CASE
UL
UL
外形寸法
外形寸法
外形寸法: : : : : Outline Drawings
外形寸法
外形寸法
等 価 回 路
等 価 回 路
等 価 回 路
等 価 回 路
等 価 回 路 : : : : :
Equivalent Circuit Schematic
Min.
Min.
1000
1000
-
1000
100
1.4to1.6N・m[14to16kgf・cm](M4)
75
M106
M106
2.5to3.0N・m[25to30kgf・cm]
M106
M106
M106
3.5to4.0N・m[35to40kgf・cm](M6)
E82988(M)
E82988(M)
E82988(M)
E82988(M)
E82988(M)
10
Typ.
Typ.
0.03
800
Max.
Max.
0.30
12.0
0.063
1.0
1.8
2.8
3.5
2.5
2.0
0.7
(M5) or (M6)
Units
Units
°C/W
°C/W
°C/W
V
V
V
V
V
mA
mA
V
-
-
V
µs
µs
µs
µs
µs
[mm]
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