FW906-TL-E ON Semiconductor, FW906-TL-E Datasheet - Page 5

• Manufacturer Part Number: FW906-TL-E
• Description: MOSFET N/P-CH 30V 8A 8SOP
• Manufacturer: ON Semiconductor
• Series: -r

Specifications of FW906-TL-E

• Fet Type: N and P-Channel
• Fet Feature: Logic Level Gate
• Rds On (max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 8A, 10V
• Drain To Source Voltage (vdss): 30V
• Current - Continuous Drain (id) @ 25° C: 8A, 6A
• Vgs(th) (max) @ Id: -
• Gate Charge (qg) @ Vgs: 12nC @ 10V
• Input Capacitance (ciss) @ Vds: 690pF @ 10V
• Power - Max: 2.5W
• Mounting Type: Surface Mount
• Package / Case: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
• Lead Free Status / Rohs Status: Lead free / RoHS Compliant

100
--10
120
100
1.0
0.1
10
10
--9
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
80
60
40
20
--0.01
0
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
2
5
3
2
5
3
2
--0.1
0
7
7
0
0
V DS = --15V
I D = --6A
I D = --3A
1
2
--2
2
3
2
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
3
5 7
--4
--6A
3
Total Gate Charge, Qg -- nC
--0.1
5
R DS (on) -- V GS
Drain Current, I D -- A
Drain Current, I D -- A
SW Time -- I D
4
--6
7
V GS -- Qg
|
2
y
--1.0
5
fs | -- I D
t f
3
--8
6
5 7
2
--1.0
7
--10
3
8
2
--12
5
3
9
V DD = --15V
V DS = --10V
V GS = --10V
7
5 7
10
Ta=25°C
--10
--14
--10
IT15833
IT15835
IT15839
IT15837
11
[Pch]
[Pch]
[Pch]
[Pch]
--16
FW906
12
2
2
--0.01
--0.01
--100
1000
--1.0
--0.1
--1.0
--0.1
--10
--10
100
120
100
80
60
40
20
--0.01
--0.2
0
--60
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
2
7
5
3
2
7
5
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
0
Ta=25° C
Single pulse
When mounted on ceramic substrate
(2000mm
--40 --20
2 3
Operation in this
area is limited by R DS (on).
--5
--0.4
5 7
Ciss, Coss, Crss -- V DS
2
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Diode Forward Voltage, V SD -- V
×0.8mm) 1unit
Ambient Temperature, Ta -- ° C
--0.1
0
--10
R DS (on) -- Ta
2
20
--0.6
I S -- V SD
3
A S O
40
5 7
--15
--1.0
60
--0.8
80
2
--20
3
100
5 7
No. A1809-5/6
--1.0
--10
120
--25
f=1MHz
V GS =0V
140
IT15834
IT15836
IT15838
2 3
IT15840
[Pch]
[Pch]
[Pch]
[Pch]
--1.2
160
--30
5