NBVSPA024LNHTAG ON Semiconductor, NBVSPA024LNHTAG Datasheet - Page 5
![no-image](/images/manufacturer_photos/0/4/495/on_semiconductor_sml.jpg)
NBVSPA024LNHTAG
Manufacturer Part Number
NBVSPA024LNHTAG
Description
IC VCXO LVDS 160MHZ 6CLCC
Manufacturer
ON Semiconductor
Series
PureEdge™r
Type
Voltage Controlled Crystal Oscillator (VCXO)r
Datasheet
1.NBVSPA024LNHTAG.pdf
(8 pages)
Specifications of NBVSPA024LNHTAG
Count
-
Frequency
160MHz
Voltage - Supply
2.97 V ~ 3.63 V
Current - Supply
75mA
Operating Temperature
-40°C ~ 85°C
Package / Case
*
Mounting Type
*
Lead Free Status / Rohs Status
Supplier Unconfirmed
Available stocks
Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Company:
Part Number:
NBVSPA024LNHTAG
Manufacturer:
ON Semiconductor
Quantity:
90
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Table 8. RELIABILITY COMPLIANCE
Shock
Solderability
Vibration
Solvent Resistance
Thermal Shock
Moisture Level Sensitivity
Parameter
NBVSPAXXX
Driver
Device
Figure 3. Typical Termination for Output Driver and Device Evaluation
Temperature (°C)
260
217
175
150
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Figure 4. Recommended Reflow Soldering Profile
CLK
CLK
Mechanical
Mechanical
Mechanical
Mechanical
Environment
Environment
60180 sec.
pre−heat
Standard
3°C/sec. max.
Z
Z
http://onsemi.com
o
o
ramp−up
= 50 W
= 50 W
temp. 260°C
20 − 40 sec. max.
5
60150 sec.
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
peak
reflow
100 W
MIL−STD−833, Method 2002, Condition B
MIL−STD−833, Method 2003
MIL−STD−833, Method 2007, Condition A
MIL−STD−202, Method 215
MIL−STD−833, Method 1011, Condition A
MSL1 260°C per IPC/JEDEC J−STD−020D
6°C/sec. max.
Time
cooling
D
D
Receiver
Device
Method