Description:
The NTE128 (NPN) and NTE129 (PNP) are silicon complementary transistors in a TO39 type pack-
age designed primarily for amplifier and switching applications. These devices features high break-
down voltages, low leakage currents, low capacity, and a beta useful over an extremely wide current
range.
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, V
Collector–Base Voltage, V
Emitter–Base Voltage, V
Continuous Collector Current, I
Total Device Dissipation (T
Total Device Dissipation (T
Operating Junction Temperature Range, T
Storage Temperature Range, T
Thermal Resistance, Junction–to–Case, R
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R
Lead Temperature (During Soldering, 1/16” from case, 60sec max), T
Note 1. NTE129MCP is a matched complementary pair containing 1 each of NTE128 (NPN) and
NTE128
NTE129
NTE128
NTE129
NTE128
NTE129
NTE128
NTE129
NTE128
NTE129
NTE128
NTE129
NTE129 (PNP).
Derate Above 25 C
Derate Above 25 C
Derate Above 25 C
Derate Above 25 C
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Silicon Complementary Transistors
EBO
CBO
A
C
NTE128 (NPN) & NTE129 (PNP)
CEO
= +25 C), P
= +25 C), P
Audio Output, Video, Driver
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C
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thJA
L
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–65 to +200 C
–65 to +200 C
7.15mW/ C
28.6mW/ C
4.6mW/ C
40mW/ C
16.5 C/W
89.5 C/W
140 C/W
20 C/W
+300 C
1.25W
140V
0.8W
80V
80V
5W
7W
7V
5V
1A