BD680 ON Semiconductor, BD680 Datasheet - Page 2
![no-image](/images/manufacturer_photos/0/4/495/on_semiconductor_sml.jpg)
BD680
Manufacturer Part Number
BD680
Description
TRANS DARL PNP 80V 4A BIPO TO225
Manufacturer
ON Semiconductor
Datasheet
1.BD680AG.pdf
(4 pages)
Specifications of BD680
Transistor Type
PNP - Darlington
Current - Collector (ic) (max)
4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (max)
80V
Vce Saturation (max) @ Ib, Ic
2.5V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (max)
500µA
Dc Current Gain (hfe) (min) @ Ic, Vce
750 @ 1.5A, 3V
Power - Max
40W
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-225-3
Lead Free Status / RoHS Status
Contains lead / RoHS non-compliant
Frequency - Transition
-
Other names
BD680OS
Available stocks
Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Company:
Part Number:
BD680A
Manufacturer:
FAIRCHILD
Quantity:
2 500
Part Number:
BD680A
Manufacturer:
ST
Quantity:
20 000
Company:
Part Number:
BD680AG
Manufacturer:
IDT
Quantity:
4 782
Part Number:
BD680G
Manufacturer:
ON/安森美
Quantity:
20 000
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
1. Pulse Test: Pulse Width v 300 ms, Duty Cycle v 2.0%.
a transistor average junction temperature and secondary
breakdown. Safe operating area curves indicate I
limits of the transistor that must be observed for reliable
operation; e.g., the transistor must not be subjected to greater
dissipation than the curves indicate.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
OFF CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Collector−Emitter Breakdown Voltage (Note 1)
Collector Cutoff Current (V
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current (V
DC Current Gain (Note 1)
Collector−Emitter Saturation Voltage (Note 1)
Base−Emitter On Voltage (Note 1)
Small−Signal Current Gain (I
There are two limitations on the power handling ability of
(I
(V
(V
(I
(I
(I
(I
(I
(I
5.0
50
45
40
35
30
25
20
15
10
C
C
C
C
C
C
C
0
CB
CB
15
= 50 mAdc, I
= 1.5 Adc, V
= 2.0 Adc, V
= 1.5 Adc, I
= 2.0 Adc, I
= 1.5 Adc, V
= 2.0 Adc, V
= Rated BV
= Rated BV
30
Figure 1. Power Temperature Derating
45
B
B
CE
CE
CE
CE
B
= 30 mAdc)
= 40 mAdc)
CEO
CEO
= 0)
= 3.0 Vdc)
= 3.0 Vdc)
= 3.0 Vdc)
= 3.0 Vdc)
T
60
C
, I
. I
, CASE TEMPERATURE (°C)
BE
E
E
CE
= 0)
= 0, T
= 5.0 Vdc, I
75
C
= Half Rated V
= 1.5 Adc, V
C
90
Characteristic
= 100°C)
C
105
(T
= 0)
C
CE
= 25_C unless otherwise noted)
CEO
120
= 3.0 Vdc, f = 1.0 MHz)
, I
B
135
= 0)
C
http://onsemi.com
150
− V
CE
165
BD676, 678, 680, 682
BD676A, 678A, 680A
BD678, 680, 682
BD676A, 678A, 680A
BD678, 680, 682
BD676A, 678A, 680A
2
BD676, 676A
BD678, 678A
BD680, 680A
BD682
the power that can be handled to values less than the
limitations imposed by secondary breakdown.
0.05
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
At high case temperatures, thermal limitations will reduce
1.0
T
C
2.0
= 25°C
V
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Figure 2. DC Safe Operating Area
CE
BONDING WIRE LIMIT
THERMAL LIMIT at T
SECONDARY BREAKDOWN LIMIT
, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Symbol
V
V
BV
CE(sat)
I
I
I
BE(on)
CEO
CBO
h
EBO
h
CEO
FE
fe
5.0
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
BD676, 676A
BD678, 678A
BD680, 680A
10
C
Min
100
750
750
= 25°C
1.0
45
60
80
−
−
−
−
−
−
−
−
BD682
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
20
Max
500
0.2
2.0
2.0
2.5
2.8
2.5
2.5
−
−
−
−
−
−
−
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
50
mAdc
mAdc
mAdc
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
−
−
−
100