BC557C ON Semiconductor, BC557C Datasheet - Page 326

• Manufacturer Part Number: BC557C
• Description: TRANS AMP PNP 45V 100MA TO-92
• Manufacturer: ON Semiconductor

Specifications of BC557C

• Transistor Type: PNP
• Current - Collector (ic) (max): 100mA
• Voltage - Collector Emitter Breakdown (max): 45V
• Vce Saturation (max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
• Current - Collector Cutoff (max): 100nA
• Dc Current Gain (hfe) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
• Power - Max: 625mW
• Frequency - Transition: 320MHz
• Mounting Type: Through Hole
• Package / Case: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
• Lead Free Status / RoHS Status: Contains lead / RoHS non-compliant
• Other names: BC557COS

Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
SURGE SUPPRESSORS
ULTRA LOW CAPACITANCE (TSPD)
NP0640SAMC
NP0720SAMC
NP0900SAMC
NP1100SAMC
NP1300SAMC
NP1500SAMC
NP1800SAMC
NP2100SAMC
NP2300SAMC
NP2600SAMC
NP3100SAMC
NP3500SAMC
NP0640SBMC
NP0720SBMC
NP0900SBMC
NP1100SBMC
NP1300SBMC
NP1500SBMC
NP1800SBMC
NP2100SBMC
NP2300SBMC
NP2600SBMC
NP3100SBMC
NP3500SBMC
NP0640SCMC
NP0720SCMC
NP0900SCMC
NP1100SCMC
NP1300SCMC
NP1500SCMC
NP1800SCMC
NP2100SCMC
NP2300SCMC
NP2600SCMC
NP3100SCMC
NP3500SCMC
CASE 403C
Device
SMB
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Offstate Voltage
V
120
140
170
180
190
220
275
320
120
140
170
180
190
220
275
320
120
140
170
180
190
220
275
320
DRM
(V)
58
65
75
90
58
65
75
90
58
65
75
90
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Breakover Voltage
V
130
160
180
220
240
260
300
350
400
130
160
180
220
240
260
300
350
400
130
160
180
220
240
260
300
350
400
(V)
77
88
98
77
88
98
77
88
98
BO
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
http://onsemi.com
I
PPS
Surge Current
Rating (A)
= 10x1000 ms
100
50
80
325
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á
ON Semiconductor Selector Guide − Thyristors
C
Maximum (pF)
Capacitance
O
, 2 V, 1 MHz
18
21
29
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Due to their ultra low off−state capacitance
(C
tortion for high speed equipment such as
DSL and T1/E1 circuits. The low capacit-
ance translates into extremely low differen-
tial capacitance offering superb linearity with
applied voltage or frequency. and assists
designers in protecting equipment from
surge events while maximizing circuit per-
formance.
O
), these devices offer minimal signal dis-
General Description