MJE18004D2 ON Semiconductor, MJE18004D2 Datasheet
![TRANS PWR NPN 5A 450V TO-220AB](/photos/5/30/53087/488-to-220ab_sml.jpg)
MJE18004D2
Specifications of MJE18004D2
Related parts for MJE18004D2
MJE18004D2 Summary of contents
Page 1
... Integrated Collector−Emitter Diode and Built−in Efficient Antisaturation Network The MJE18004D2 is state−of−art High Speed High gain BIPolar transistor (H2BIP). High dynamic characteristics and lot to lot minimum spread (±150 ns on storage time) make it ideally suitable for light ballast applications. Therefore, there is no need to guarantee an h window ...
Page 2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Characteristic Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î ...
Page 3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Characteristic Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î ...
Page 4
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS 100 20° 25° 0.001 0.01 0 COLLECTOR CURRENT (AMPS) C Figure 1. DC Current Gain @ 1 Volt ...
Page 5
20° 125°C J 0.1 0.001 0.01 0 COLLECTOR CURRENT (AMPS) C Figure 7. Base−Emitter Saturation Region ...
Page 6
TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS 3200 125°C Bon Boff 300 25° 2400 1600 800 ...
Page 7
TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS 1600 Boff Bon 300 V Z 1200 = 200 800 400 COLLECTOR ...
Page 8
TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS V CE dyn 1 ms dyn 90 TIME Figure 25. Dynamic Saturation Voltage Measurements + 100 ...
Page 9
... T C GAIN ≥ -1.5 V 400 600 800 , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) −V limits of the transistor 25°C; T (pk (t) = r(t) R qJC qJC R = 2.5°C/W MAX qJC D CURVES APPLY FOR POWER PULSE TRAIN SHOWN READ TIME (t) qJC J(pk) C (pk 100 ) for MJE18004D2 1000 1000 ...
Page 10
... S 0.045 0.055 1.15 1.39 T 0.235 0.255 5.97 6.47 U 0.000 0.050 0.00 1.27 V 0.045 --- 1.15 --- Z --- 0.080 --- 2.04 PIN 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 4. COLLECTOR ON Semiconductor Website: www.onsemi.com Order Literature: http://www.onsemi.com/orderlit For additional information, please contact your local Sales Representative MJE18004D2/D ...