BD179 ON Semiconductor, BD179 Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: BD179
• Description: TRANS NPN 80V 3A BIPO TO-225
• Manufacturer: ON Semiconductor

Specifications of BD179

• Transistor Type: NPN
• Current - Collector (ic) (max): 3A
• Voltage - Collector Emitter Breakdown (max): 80V
• Vce Saturation (max) @ Ib, Ic: 800mV @ 100mA, 1A
• Dc Current Gain (hfe) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
• Power - Max: 30W
• Frequency - Transition: 3MHz
• Mounting Type: Through Hole
• Package / Case: TO-225-3
• Lead Free Status / RoHS Status: Contains lead / RoHS non-compliant
• Current - Collector Cutoff (max): -

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
1. Pulse Test: Pulse Width x 300 As, Duty Cycle x 2.0%.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Sustaining Voltage (Note 1)
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Collector-Emitter Saturation Voltage (Note 1)
Base-Emitter On Voltage (Note 1)
Current-Gain - Bandwidth Product
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
10
(I
(V
(V
(I
(I
(I
(I
(I
C
C
C
C
C
C
1.0
CB
BE
= 0.1 Adc, I
= 0.15 A, V
= 1.0 A, V
= 1.0 Adc, I
= 1.0 Adc, V
= 250 mAdc, V
Figure 1. Active Region Safe Operating Area
= 5.0 Vdc, I
= 80 Vdc, I
T
J
= 150°C
2.0
V
CE
SECONDARY BREAKDOWN LIMITATION
THERMAL LIMITATION
(BASE-EMITTER DISSIPATION IS
SIGNIFICANT ABOVE I
PULSE DUTY CYCLE < 10%
, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
CE
3.0
CE
B
B
CE
E
= 2.0 V)
= 0)
= 0.1 Adc)
C
= 2.0 V)
= 0)
CE
= 0)
= 2.0 Vdc)
5.0 7.0 10
= 10 Vdc, f = 1.0 MHz)
Characteristic
C
= 2.0 AMP)
dc
20
(T
C
5.0 ms
= 25_C unless otherwise noted)
30
1.0 ms
100 ms
50
http://onsemi.com
70
100
BD179
2
below which the device will not enter secondary breakdown.
Collector load lines for specific circuits must fall within the
applicable Safe Area to avoid causing a catastrophic failure.
To
power-temperature derating must be observed for both
steady state and pulse power conditions.
The Safe Operating Area Curves indicate I
insure
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
V
Symbol
V
operation
V
(BR)CEO
I
I
CE(sat)
BE(on)
h
CBO
EBO
f
FE
T
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
below
Min
3.0
80
63
15
-
-
-
-
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
the
Max
160
0.1
1.0
0.8
1.3
-
-
-
maximum
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
C
- V
CE
mAdc
mAdc
MHz
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
-
limits
T
J
,