Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
MJE350
Plastic Medium Power
PNP Silicon Transistor
low power, line−operated series pass and switching regulators
requiring PNP capability.
Features
•
•
•
•
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2007
January, 2007 − Rev. 14
MAXIMUM RATINGS
THERMAL CHARACTERISTICS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
OFF CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
Collector−Emitter Voltage
Emitter−Base Voltage
Collector Current − Continuous
Total Power Dissipation @ T
Operating and Storage Junction
Temperature Range
Thermal Resistance, Junction−to−Case
Collector−Emitter Sustaining Voltage
(I
Collector Cutoff Current
(V
Emitter Cutoff Current
(V
DC Current Gain
(I
This device is designed for use in line−operated applications such as
C
C
High Collector−Emitter Sustaining Voltage −
Excellent DC Current Gain −
Plastic Thermopad Package
Pb−Free Package is Available*
CB
EB
Derate above 25_C
= 1.0 mAdc, I
= 50 mAdc, V
= 3.0 Vdc, I
= 300 Vdc, I
V
CEO(sus)
Characteristic
Characteristic
h
FE
Rating
B
C
CE
E
= 0)
= 30−240 @ I
= 50 mAdc
= 0)
= 0)
= 300 Vdc @ I
= 1.0 mAdc
= 10 Vdc)
C
= 25_C
C
C
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
(T
C
V
Symbol
Symbol
Symbol
T
CEO(sus)
V
= 25°C unless otherwise noted)
I
J
I
V
h
q
CBO
EBO
P
, T
CEO
I
EB
JC
FE
C
D
stg
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î
Î Î Î Î
Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
–65 to +150
Min
300
30
−
−
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Value
0.16
Max
6.25
300
500
3.0
20
Max
100
100
240
−
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
1
mW/_C
mAdc
_C/W
mAdc
mAdc
Unit
Unit
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
_C
W
−
MJE350
MJE350G
Device
POWER TRANSISTOR
300 VOLTS, 20 WATTS
3
ORDERING INFORMATION
2 1
Y
WW
JE350
G
MARKING DIAGRAM
http://onsemi.com
PNP SILICON
0.5 AMPERE
(Pb−Free)
Package
= Year
= Work Week
= Device Code
= Pb−Free Package
TO−225
TO−225
Publication Order Number:
JE350G
YWW
CASE 77
STYLE 1
TO−225
500 Units/Box
500 Units/Box
Shipping
MJE350/D