MJE800G ON Semiconductor, MJE800G Datasheet

TRANS DARL NPN 4A 60V TO225AA

MJE800G

Manufacturer Part Number
MJE800G
Description
TRANS DARL NPN 4A 60V TO225AA
Manufacturer
ON Semiconductor
Type
Power, Switchr
Datasheets

Specifications of MJE800G

Transistor Type
NPN - Darlington
Current - Collector (ic) (max)
4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (max)
60V
Vce Saturation (max) @ Ib, Ic
2.5V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (max)
100µA
Dc Current Gain (hfe) (min) @ Ic, Vce
750 @ 1.5A, 3V
Power - Max
40W
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-225-3
Configuration
Single
Transistor Polarity
NPN
Mounting Style
SMD/SMT
Collector- Emitter Voltage Vceo Max
60 V
Emitter- Base Voltage Vebo
5 V
Collector- Base Voltage Vcbo
60 V
Maximum Dc Collector Current
4 A
Maximum Collector Cut-off Current
100 uA
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Dc Collector/base Gain Hfe Min
100
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Current, Gain
100
Current, Input
0.1 A
Current, Output
4 A
Package Type
TO-225
Polarity
NPN
Power Dissipation
40 W
Primary Type
Si
Voltage, Collector To Emitter, Saturation
3 V
Voltage, Input
5 V
Voltage, Output
60 V
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Frequency - Transition
-
Lead Free Status / Rohs Status
Lead free / RoHS Compliant
Other names
MJE800GOS

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
MJE800G
Manufacturer:
ON/安森美
Quantity:
20 000
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
MJE700, MJE702, MJE703
(PNP) - MJE800, MJE802,
MJE803 (NPN)
Plastic Darlington
Complementary Silicon
Power Transistors
low−speed switching applications.
Features
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and
reliability may be affected.
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
MAXIMUM RATINGS
THERMAL CHARACTERISTICS
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
Collector−Emitter Voltage
Collector−Base Voltage
Emitter−Base Voltage
Collector Current
Base Current
Total Power Dissipation @ T
Operating and Storage Junction
Temperature Range
Thermal Resistance, Junction−to−Case
These devices are designed for general−purpose amplifier and
Limit Leakage − Multiplication
High DC Current Gain − h
Monolithic Construction with Built−in Base−Emitter Resistors to
Choice of Packages − MJE700 and MJE800 Series
Pb−Free Packages are Available*
MJE702, MJE703, MJE802, MJE803
MJE702, MJE703, MJE802, MJE803
Characteristic
Rating
Derate above 25_C
MJE700, MJE800
MJE700, MJE800
C
= 25_C
FE
= 2000 (Typ) @ I
= 2.0 Adc
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Symbol
Symbol
T
V
J
V
V
q
P
CEO
, T
I
I
CB
EB
JC
C
B
D
stg
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
–55 to +150
C
Value
0.32
6.25
Max
5.0
4.0
0.1
60
80
60
80
40
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
1
mW/_C
_C/W
Unit
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
_C
W
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 5 of this data sheet.
BASE
COMPLEMENTARY SILICON
1
DARLINGTON POWER
3
ORDERING INFORMATION
COLLECTOR 2
2 1
EMITTER 3
Y
WW
JEx0y = Device Code
G
MJE800
MJE802
MJE803
MARKING DIAGRAM
TRANSISTORS
NPN
4.0 AMPERE
40 WATT
50 WATT
= Year
= Work Week
= Pb−Free Package
x = 7 or 8
y = 0, 2, or 3
JEx0yG
BASE
YWW
1
CASE 77
STYLE 1
TO−225
COLLECTOR 2
EMITTER 3
MJE700
MJE702
MJE703
PNP

Related parts for MJE800G

MJE800G Summary of contents

Page 1

... If these limits are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and reliability may be affected. *For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D. = 2000 (Typ ...

Page 2

ELECTRICAL CHARACTERISTICS Î Î Î Î Î ...

Page 3

... ORDERING INFORMATION Device MJE700 MJE700G MJE702 MJE702G MJE703 MJE703G MJE800 MJE800G MJE802 MJE802G MJE803 MJE803G Package TO−225 TO−225 (Pb−Free) TO−225 TO−225 (Pb−Free) TO−225 TO−225 (Pb−Free) 50 Units / Bulk TO−225 TO−225 (Pb−Free) TO−225 TO−225 (Pb−Free) TO−225 TO−225 (Pb−Free) 5 Shipping ...

Page 4

−A− 0.25 (0.010 0.25 (0.010 PACKAGE DIMENSIONS TO−225 CASE 77−09 ISSUE ...

Related keywords