MJ14002G ON Semiconductor, MJ14002G Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: MJ14002G
• Description: TRANS PWR NPN 60A 80V TO3
• Manufacturer: ON Semiconductor
• Type: High Current, Powerr

Specifications of MJ14002G

• Transistor Type: NPN
• Current - Collector (ic) (max): 60A
• Voltage - Collector Emitter Breakdown (max): 80V
• Vce Saturation (max) @ Ib, Ic: 3V @ 12A, 60A
• Current - Collector Cutoff (max): 1mA
• Dc Current Gain (hfe) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 50A, 3V
• Power - Max: 300W
• Mounting Type: Chassis Mount
• Package / Case: TO-204, TO-3
• Transistor Polarity: NPN
• Mounting Style: SMD/SMT
• Collector- Emitter Voltage Vceo Max: 80 V
• Emitter- Base Voltage Vebo: 5 V
• Maximum Dc Collector Current: 60 A
• Power Dissipation: 300 W
• Maximum Operating Temperature: + 200 C
• Continuous Collector Current: 60 A
• Dc Collector/base Gain Hfe Min: 30
• Minimum Operating Temperature: - 65 C
• Current, Collector: 60 A
• Current, Gain: 5
• Package Type: TO-204 (TO-3)
• Polarity: NPN
• Primary Type: Si
• Resistance, Thermal, Junction To Case: 0.584 °C/W
• Voltage, Breakdown, Collector To Emitter: 80 V
• Voltage, Collector To Base: 80 V
• Voltage, Collector To Emitter: 80 V
• Voltage, Collector To Emitter, Saturation: 3 V
• Voltage, Emitter To Base: 5 V
• Lead Free Status / RoHS Status: Lead free / RoHS Compliant
• Frequency - Transition: -
• Lead Free Status / Rohs Status: Lead free / RoHS Compliant
• Other names: MJ14002GOS

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
1. Pulse Test: Pulse Width v 300 ms, Duty Cycle v 2.0%.
THERMAL CHARACTERISTICS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
OFF CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Thermal Resistance, Junction−to−Case
Collector−Emitter Sustaining Voltage (Note 1)
Collector Cutoff Current
Collector Cutoff Current
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain (Note 1)
Collector−Emitter Saturation Voltage (Note 1)
Base−Emitter Saturation Voltage (Note 1)
Output Capacitance
100
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
70
50
30
20
10
1.0
(I
(V
(V
(V
(V
(V
(V
(V
(I
(I
(I
(I
(I
(I
(I
(I
(I
(V
T
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
CE
CE
CE
CE
CB
CB
BE
CB
Figure 2. Maximum Rated Forward Biased
= 200 mAdc, I
= 25 Adc, V
= 50 Adc, V
= 60 Adc, V
= 25 Adc, I
= 50 Adc, I
= 60 Adc, I
= 25 Adc, I
= 50 Adc, I
= 60 Adc, I
= 25°C
= 5.0 Vdc, I
= 30 Vdc, I
= 40 Vdc, I
= 60 Vdc, V
= 80 Vdc, V
= 60 Vdc, I
= 80 Vdc, I
= 10 Vdc, I
2.0 3.0
V
CE
WIRE BOND LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
, COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
B
B
B
B
B
B
CE
CE
CE
Safe Operating Area
= 2.5 Adc)
= 5.0 Adc)
= 12 Adc)
= 2.5 Adc)
= 5.0 Adc)
= 12 Adc)
B
B
E
E
E
5.0 7.0
C
BE(off)
BE(off)
B
= 0)
= 0)
= 0)
= 0)
= 3.0 V)
= 3.0 V)
= 3.0 V)
= 0, f = 0.1 MHz)
= 0)
= 0)
MJ14001 (PNP), MJ14002* (NPN), MJ14003* (PNP)
= 1.5 V)
= 1.5 V)
10
MJ14002, MJ14003
dc
Characteristic
Characteristic
5.0 ms
(T
20
MJ14001
C
= 25_C unless otherwise noted)
30
1.0 ms
50
70
1.0 ms
100
2
MJ14002, MJ14003
MJ14402, MJ14003
MJ14002, MJ14003
MJ14002, MJ14003
a transistor: average junction temperature and second
breakdown. Safe operating area curves indicate I
limits of the transistor that must be observed for reliable
operation: i.e., the transistor must not be subjected to greater
dissipation than the curves indicate.
variable depending on conditions. Second breakdown pulse
limits are valid for duty cycles to 10% provided T
v 200_C. T
Figure 13. At high case temperatures, thermal limitations
will reduce the power that can be handled to values less than
the limitations imposed by second breakdown.
There are two limitations on the power handling ability of
The data of Figure 2 is based on T
MJ14001
MJ14001
MJ14001
MJ14001
J(pk)
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
may be calculated from the data in
V
Symbol
Symbol
V
V
CEO(sus)
R
I
I
I
CE(sat)
BE(sat)
I
h
C
CEO
CBO
EBO
CEX
qJC
FE
ob
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Min
5.0
60
80
30
15
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
J(pk)
0.584
Max
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
2000
= 200_C; T
Max
100
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.5
3.0
2.0
3.0
4.0
−
−
−
−
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
C
_C/W
− V
Unit
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mA
mA
mA
mA
pF
−
J(pk)
C
CE
is