Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
D44VH10 (NPN),
D45VH10 (PNP)
Complementary Silicon
Power Transistors
high-speed switching applications, such as switching regulators and
high frequency inverters. The devices are also well-suited for drivers
for high power switching circuits.
Features
•
•
•
•
•
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
1. Pulse Width v 6.0 ms, Duty Cycle v 50%.
*For additional information on our Pb-Free strategy and soldering details, please
MAXIMUM RATINGS
THERMAL CHARACTERISTICS
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2007
November, 2007 - Rev. 5
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter Base Voltage
Collector Current -Continuous
Total Power Dissipation @ T
Operating and Storage Junction
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Maximum Lead Temperature for Soldering
These complementary silicon power transistors are designed for
Fast Switching -
Key Parameters Specified @ 100°C
Low Collector-Emitter Saturation Voltage -
Complementary Pairs Simplify Circuit Designs
Pb-Free Packages are Available*
Derate above 25°C
Temperature Range
Purposes: 1/8″ from Case for 5 Seconds
V
t
f
CE(sat)
= 90 ns (Max)
Characteristic
= 1.0 V (Max) @ 8.0 A
Rating
-Peak (Note 1)
C
= 25°C
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Symbol
Symbol
T
V
V
R
R
J
V
I
P
, T
CEO
CEV
CM
T
I
qJC
qJA
EB
C
D
L
stg
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
- 55 to
Value
0.67
Max
62.5
100
150
275
7.0
1.5
80
15
20
83
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
1
W/°C
°C/W
°C/W
Unit
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
°C
°C
W
D44VH10
D44VH10G
D45VH10
D45VH10G
COMPLEMENTARY SILICON
1
Device
2
3
POWER TRANSISTORS
CASE 221A-09
ORDERING INFORMATION
x
A
Y
WW = Work Week
G
TO-220AB
STYLE 1:
http://onsemi.com
= 4 or 5
= Assembly Location
= Year
= Pb-Free Package
PIN 1. BASE
80 V, 83 W
4
(Pb-Free)
(Pb-Free)
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
Package
TO-220
TO-220
TO-220
TO-220
15 A
Publication Order Number:
MARKING
DIAGRAM
D4xVH10G
50 Units/Rail
50 Units/Rail
50 Units/Rail
50 Units/Rail
Shipping
AYWW
D44VH/D