SFH3100F-1-Z OSRAM, SFH3100F-1-Z Datasheet

PHOTOTRANSISTOR, FILTERED

SFH3100F-1-Z

Manufacturer Part Number
SFH3100F-1-Z
Description
PHOTOTRANSISTOR, FILTERED
Manufacturer
OSRAM
Datasheet

Specifications of SFH3100F-1-Z

Transistor Polarity
NPN
Wavelength Typ
920nm
Power Consumption
150mW
Viewing Angle
14°
Transistor Case Style
Side Looking
No. Of Pins
2
Svhc
No SVHC (15-Dec-2010)
Current Ic Typ
50mA
Half Angle
14°
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter
Silicon NPN Phototransistor with Daylight-Cutoff Filter
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
SFH 3100 F
Wesentliche Merkmale
• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
• Enge Empfangscharakteristik
• Geringe Außenabmessungen
• Gleiche Bauform wie IRED SFH 4110
• Hoher Koppelfaktor in Lichtschranken mit
• IR-Filter
• Leichte Unterscheidbarkeit zwischen
Anwendungen
• Empfänger in Lichtschranken
• Bandende-Erkennung (z.B. Videorecorder)
• Datenübertragung
• Positionsüberwachung
• Barcode-Leser
• „Messen/Steuern/Regeln“
• Münzzähler
Typ
Type
SFH 3100 F
SFH 3100 F-2/3/4
2005-02-17
von 840 nm bis 1080 nm
SFH 4110
SFH 3100 F (schwarzes Gehäuse) und
SFH 4110 (klares Gehäuse)
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702P5073
Q62702P5475
I
(λ = 950 nm,
>0.4
0.63 ... 3.2
PCE
(mA)
1
Features
• Especially suitable for applications from
• Narrow half angle
• Small outline dimensions
• Same package as IRED SFH 4110
• High coupling factor in light barriers with
• IR filter
• Easy identification of SFH 3100 F (black
Applications
• Detector in photointerrupters
• Tape end detection
• Data transmission
• Position sensing
• Barcode reader
• For control and drive circuits
• Coin counters
840 nm to 1080 nm
SFH 4110
package) and SFH 4110 (clear package)
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V)

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SFH3100F-1-Z Summary of contents

Page 1

NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Silicon NPN Phototransistor with Daylight-Cutoff Filter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 3100 F Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 840 nm bis 1080 nm • Enge Empfangscharakteristik • Geringe Außenabmessungen ...

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Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current < 10 µs t Kollektorspitzenstrom, Collector surge current Emitter-Kollektorspannung Emitter-collector voltage = 25 °C Verlustleistung Total power dissipation Wärmewiderstand ...

Page 3

Kennwerte ( T A Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit 10% von max Spectral range of sensitivity 10% ...

Page 4

Bezeichnung Parameter Fotostrom, λ = 950 nm Photocurrent 0.5 mW/ Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time mA kΩ ...

Page 5

Relative Spectral Sensitivity (λ) rel OHF00377 100 % S 90 rel 700 800 900 1000 nm 1100 λ Photocurrent PCE A = ...

Page 6

Maßzeichnung Package Outlines Emitter/ Cathode Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch). 2005-02-17 16.5 (0.650) 16.0 (0.630) 1.04 (0.041) 0.84 (0.033) 4.1 (0.161) 17.77 (0.700) 17.27 (0.680) 3.9 (0.154) 1.6 (0.063) 1.4 ...

Page 7

Empfohlenes Lötpaddesign Recommended Solder Pad 2005-02-17 Wellenlöten (TTW) TTW Soldering 4 (0.157) 7 SFH 3100 F OHLPY985 ...

Page 8

... If they fail reasonable to assume that the health of the user may be endangered. 2005-02-17 (nach CECC 00802) (acc. to CECC 00802 Welle 2. wave 5 K/s Zwangskühlung 2 K/s forced cooling 50 100 8 Normalkurve standard curve Grenzkurven limit curves 2 K/s 150 200 t 2 with the express written approval of OSRAM OS. SFH 3100 F OHLY0598 s 250 ...

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