SFH309FA-4 OSRAM, SFH309FA-4 Datasheet

PHOTOTRANSISTOR, T1

SFH309FA-4

Manufacturer Part Number
SFH309FA-4
Description
PHOTOTRANSISTOR, T1
Manufacturer
OSRAM
Datasheet

Specifications of SFH309FA-4

Transistor Polarity
NPN
Wavelength Typ
900nm
Power Consumption
165mW
Viewing Angle
12°
Transistor Case Style
T-1
No. Of Pins
2
Svhc
No SVHC (15-Dec-2010)
Current Ic Typ
15mA
Half Angle
32°
Nom
RoHS Compliant
Fall Time Tf
10µs
Rohs Compliant
Yes

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
SFH309FA-4
Manufacturer:
LITEON
Quantity:
16 447
NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
SFH 309
SFH 309 FA
Wesentliche Merkmale
• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
• Hohe Linearität
• 3 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
• Gruppiert lieferbar
Anwendungen
• Lichtschranken für Gleich- und
• Industrieelektronik
• „Messen/Steuern/Regeln“
Typ
Type
SFH 309
SFH 309-3/4
SFH 309-4
SFH 309-4/5
SFH 309-5
SFH 309-5/6
2001-02-22
von 380 nm bis 1180 nm (SFH 309) und bei
880 nm (SFH 309 FA)
Wechsellichtbetrieb
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P859
Q62702-P3592
Q62702-P998
Q62702-P3593
Q62702-P999
Q62702-P3594
SFH 309
1
Features
• Especially suitable for applications from
• High linearity
• 3 mm LED plastic package
• Available in groups
Applications
• Photointerrupters
• Industrial electronics
• For control and drive circuits
Typ
Type
SFH 309 FA
SFH 309 FA-3/4
SFH 309 FA-4
SFH 309 FA-4/5
SFH 309 FA-5
SFH 309 FA-5/6
380 nm to 1180 nm (SFH 309) and of 880 nm
(SFH 309 FA)
SFH 309 FA
Bestellnummer
Ordering Codes
Q62702-P941
Q62702-P3590
Q62702-P178
Q62702-P3591
Q62702-P180
Q62702-P5199

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SFH309FA-4 Summary of contents

Page 1

NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 309 SFH 309 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1180 nm (SFH 309) und bei 880 nm (SFH 309 FA) • Hohe Linearität • 3 mm-Plastikbauform im ...

Page 2

Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit Dip soldering temperature from case bottom, soldering time Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit Iron ...

Page 3

Kennwerte ( 950 nm) A Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit 10% von max Spectral range of sensitivity 10% of ...

Page 4

Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet. The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures. Bezeichnung Parameter Fotostrom, 950 nm Photocurrent 0.5 mW/ ...

Page 5

Relative Spectral Sensitivity, SFH 309 rel OHF01121 100 S % rel 400 600 800 1000 nm 1200 Total Power Dissipation tot A Dark Current ...

Page 6

... Package Outlines Collector (Transistor) Cathode (Diode) Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch). Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG Wernerwerkstrasse 2, D-93049 Regensburg © All Rights Reserved. Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. ...

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