Description:
The NTE98 is a silicon NPN Darlington transistor in a TO3 type package designed for high voltage,
high–speed, power switching in inductive circuits where fall–time is critical. They are particularly
suited for line operated switch–mode applications.
Applications:
D Switching Regulators
D Inverters
D Solenoid and Relay Drivers
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, V
Collector–Emitter Voltage, V
Collector–Emitter Voltage, V
Emitter–Base Voltage, V
Collector Current, I
Base Current, I
Total Power Dissipation (T
Total Power Dissipation (T
Operating Junction Temperature Range, T
Storage Temperature Range, T
Thermal Resistance, Junction–to–Case, R
Lead Temperature (During Soldering, 1/8” from case, 5sec), T
Note 1. Pulse test: Pulse Width = 5ms, Duty Cycle
Continuous
Peak (Note 1)
Continuous
Peak (Note 1)
Derate Above +25 C
B
C
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EB
HV Darlington Power Amp, Switch
C
C
= +25 C), P
= +100 C), P
CEO(sus)
CEX(sus)
CEV
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stg
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Silicon NPN Transistor
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D
D
J
thJC
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NTE98
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10%.
L
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–65 to +200 C
–65 to +200 C
1.0W/ C
1.0 C/W
+275 C
175W
100W
500V
500V
700V
2.5A
5.0A
20A
30A
8V