NTE5546 NTE ELECTRONICS, NTE5546 Datasheet
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NTE5546
Manufacturer Part Number
NTE5546
Description
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,500V V(DRM),35A I(T),TO-208AA
Manufacturer
NTE ELECTRONICS
Datasheet
1.NTE5543.pdf
(2 pages)
Description:
The NTE5541 thru NTE5548 are silicon controlled rectifiers (SCR) packaged in a TO48 type case
designed for industrial and consumer applications such as power supplies; battery chargers; temper-
ature, motor, light and welder controls.
Absolute Maximum Ratings:
Repetitive Peak Off−State Voltage (T
Repetitive Peak Reverse Voltage (T
RMS On−State Current (T
Peak Surge (Non−Repetitive) On−State Current (One Cycle at 50Hz or 60Hz), I
Peak Gate−Trigger Current (3μs Max), I
Peak Gate−Power Dissipation (I
Average Gate Power Dissipation, P
Operating Temperature Range, T
Storage Temperature Range, T
Typical Thermal Resistance, Junction−to−Case, R
NTE5541
NTE5542
NTE5543
NTE5544
NTE5545
NTE5546
NTE5547
NTE5548
NTE5541
NTE5542
NTE5543
NTE5544
NTE5545
NTE5546
NTE5547
NTE5548
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Silicon Controlled Rectifier (SCR)
C
= +75°C), I
stg
GT
NTE5541 thru NTE5548
oper
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
≤ I
G(AV)
J
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
= +100°C) V
GTM
= +100°C) V
(RMS)
35 Amp, TO48
GTM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
for 3μs Max), P
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RRM
thJC
DRM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
GM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
TSM
−40° to +150°C
−40° to +150°C
. . . . . . .
1.4°C/W
500mW
100V
200V
300V
400V
500V
600V
800V
100V
200V
300V
400V
500V
600V
800V
300A
20W
50V
50V
35A
20A
Related parts for NTE5546
NTE5546 Summary of contents
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Parameter Peak Off−State Current Maximum On−State Voltage (Peak) DC Gate Trigger Current DC Gate Trigger Voltage Gate Controlled Turn−On Time Critical Rate of Rise of Off−State Voltage (14.28) (30.33) Symbol Test Conditions & Max Rating, ...