ETN36-030 Fuji Electric holdings CO.,Ltd, ETN36-030 Datasheet

ETN36-030

Manufacturer Part Number

ETN36-030

Description

Manufacturer

Fuji Electric holdings CO.,Ltd

Datasheets

1.ETN36-030.pdf (3 pages)

2.ETN36-030.pdf (1 pages)

Available stocks

Company

Part Number

Manufacturer

Quantity

Price

Company:

Bonase Electronics (HK) Co., Limited

Part Number:

ETN36-030

Manufacturer:

FUJI

Quantity:

452

Company:

Meier Automation Equipment Co., Limited

Part Number:

ETN36-030

Manufacturer:

SANREX

Quantity:

20 000

Company:

HONG KONG JIETUO ZIJING INTERNATIONAL TRADING CO., LIMITED

Part Number:

ETN36-030

Quantity:

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ETN36-030

パワートランジスタモジュール

POWER TRANSISTOR MODULE

パワートランジスタモジュール

POWER TRANSISTOR MODULE

Item

コレクタ・ベース間電圧

コレクタ・エミッタ間電圧

エミッタ・ベース間電圧

コレクタ電流

ベース電流

コレクタ損失

接合部温度

保存温度

質量

絶縁耐圧 AC.1min

締付けトルク

Item

コレクタ・ベース間電圧

コレクタ・エミッタ間電圧

エミッタ・ベース間電圧

コレクタしゃ断電流

エミッタしゃ断電流

コレクタ・エミッタ間電圧

直流電流増幅率

コレクタ・エミッタ飽和電圧

ベース・エミッタ飽和電圧

スイッチング時間

逆回復時間

hFE

hFE が高い

非絶縁形

非絶縁形 Non Insulated Type

DCﾓｰﾀ

DCﾓｰﾀ制御

大電流

大電流 High current

hFE

溶接機

溶接機 Welding Machines

大電力

大電力ｽｲｯﾁﾝｸﾞ

無停電電源装置

無停電電源装置 Uninterruptible Power Supply

熱抵抗

電気的特性

Item

Absolute maximum ratings (Tc=25°C unless otherwise specified)

電気的特性

定格と特性

絶対最大定格

熱的特性

熱的特性 : : : : : Thermal characteristics

定格と特性

絶対最大定格

用途

用途：：：：： Applications

特長

特長：：：：： Features

が高い

が高い High DC Current Gain

制御

制御 DC Motor Controls

ｽｲｯﾁﾝｸﾞ

ｽｲｯﾁﾝｸﾞ High Power Switching

ｽｲｯﾁﾝｸﾞ

：

Electrical characteristics (T

: Maximum ratings and characteristic

two Transistor

D C

1ms

one Transistor

Symbol

-Ic

Viso

Mounting *1

Terminal *2

Symbol

stg

Symbol

-V

CBO

CEO

CEO(SUS)

EBO

CBO

EBO

stg

th(j-c)

th(c-f)

CBO

CEO

CEO(SUS)

CEX(SUS)

EBO

CE(Sat)

BE(Sat)

(300A)

=25°C unless otherwise specified)

Rating

-40 to +125

Between case and cooling fin

Transistor

Test Conditions

Ic = 40A

-Ic = 40A, V

CBO

EBO

Test Conditions

CBO

EBO

1500

+150

= 1mA

= 1A

= 300A, I

= 300A, P

= 300A, V

=0.6

400

320

300

500

270

= 10A

= 1mA

= 200mA

4.5

1.7

= 400V

= 6V

= 5A

=50 µs

= -6A, -di/dt = 50A/ µ s

= 5V

Unit

°C

N･m

FUJI POWER TRANSISTOR MODULE

Note:

*1:推奨値 Recommendable Value;

*2:推奨値 Recommendable Value;

CASE

外形寸法

外形寸法: : : : : Outline Drawings

外形寸法

等価回路

等価回路 : : : : :

Equivalent Circuit Schematic

Min.

320

400

150

BBT

BBT Ⅲ Ⅲ Ⅲ Ⅲ Ⅲ

BBT

3.5to4.0N･m[35to40kgf･cm](M6)

1.4to1.6N･m[14to16kgf･cm](M4)

BBT

Typ.

0.04

200

Max.

10.0

0.083

1.0

1.5

2.0

2.5

2.0

1.2

0.6

Units

°C/W

µs

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