T501N Infineon Technologies, T501N Datasheet - Page 3

• Manufacturer Part Number: T501N
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of T501N

• Vdrm/ Vrrm (v): 6,000.0 - 7,000.0 V
• Itsm: 13,000.0 A
• Itavm: 640 (180 ° el sin)
• Housing: Dia 75mm height 26mm / Ceramic
• Configuration: Phase Control Thyristors / SCR Diode Discs

Date of Publication: 2011-05-02
Phase Control Thyristor
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Charakteristische Werte / characteristic values
Thermische Eigenschaften / thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
Steueranschlüsse
control terminals
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
Gewicht
weight
Netz-Thyristor
Mechanische Eigenschaften
Thermische Eigenschaften
Technische Information /
technical information
T501N
Revision: 11.0
f = 50 Hz
T
v
dv
4.Kennbuchstabe / 4
T
i
V
T
i
V
DIN 46244
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
TM
TM
RM
vj
vj
vj
R
R
D
= T
= T
= I
= 0,5V
= T
= I
= 0,5V
/dt = 20 V/µs, -di
= 100 V, v
TAVM
TAVM
vj max
vj max
vj max
, -di
, -di
RRM
RRM
, i
TM
, V
, V
T
T
DM
/dt = 10 A/µs
/dt = 10 A/µs
= I
Kathode /Cathode
RM
RM
Gate
= 0,67 V
TAVM
= 0,8V
= 0,8V
T
th
/dt = 10 A/µs
letter O
RRM
RRM
DRM
R
R
T
T
T
G
t
Q
F
I
q
RM
vj max
c op
stg
thJC
thCH
r
typ.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
typ.
A 2,8x0,8
A 4,8x0,8
-40...+125 °C
-40...+150 °C
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600
210
18,5
17,0
30,5
38,5
10,0
7,2
550 g
125 °C
5,0
25 mm
50 m/s²
K/kW
K/kW
K/kW
K/kW
K/kW
K/kW
kN
µs
mAs
A