T281N Infineon Technologies, T281N Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: T281N
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of T281N

• Vdrm/ Vrrm (v): 6,000.0 - 6,500.0 V
• Itsm: 4,800.0 A
• Itavm: 280 (180 ° el sin)
• Housing: Dia 58mm height 26mm / Ceramic
• Configuration: Phase Control Thyristors / SCR Diode Discs

BIP PPE4 / 27.10.05, M.Droldner
N
Phase Control Thyristor
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
Gewicht
weight
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
Steueranschlüsse
control terminals
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
Netz-Thyristor
Mechanische Eigenschaften
Fehler! Kein Thema angegeben.
Datenblatt / Data sheet
Thermische Eigenschaften
T281N
f = 50 Hz
T
v
dv
4.Kennbuchstabe / 4
T
v
T
v
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sides
einseitig / single-sides
RM
RM
RM
vj
vj
vj
D
= T
= T
= T
/dt = 20 V/µs, -di
= 100 V, v
= 100 V, -di
= 100 V, -di
vj max
vj max
vj max
, i
, i
, i
TM
TM
TM
DM
= 500A
= 500A
= 500A
T
T
/dt = 10 A/µs
/dt = 10 A/µs
Gate
Kathode /Cathode
= 0,67 V
T
th
/dt = 10 A/µs
letter O
DRM
R
R
T
T
T
G
t
Q
I
F
q
RM
vj max
c op
stg
thJC
thCH
r
Vorläufige Daten
Preliminary data
Seite/page
max.
max.
max.
max.
max.
max.
typ.
typ.
typ.
typ.
Ø 1,5 x 3,2
A 4,8 x 0,4
-40...+125 °C
-40...+150 °C
Seite 3
page 3
7...12
1000
2600
0,043
0,040
0,072
0,090
0,006
0,012
250 g
125 °C
85
25 mm
50 m/s²
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
µs
µAs
A
kN
mm
mm
2/8