TT122N Infineon Technologies, TT122N Datasheet - Page 7

• Manufacturer Part Number: TT122N
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of TT122N

• Vdrm/ Vrrm (v): 1,600.0 - 2,200.0 V
• Itsm: 2,950.0 A
• Itavm/tc: 122/85 (180° el sin)
• Housing: PowerBLOCK 34 mm
• Features: SCR SCR Phase Control

Phase Control Thyristor Module
BIP AC /
N
140
120
100
Netz-Thyristor-Modul
140
120
100
80
60
40
20
80
60
40
20
0
MA2-BE /
0
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
22 Nov , A.Rüther
20
Calculation base P
Calculation base P
Berechnungsgrundlage P
Berechnungsgrundlage P
Gehäusetemperatur bei Rechteck
Gehäusetemperatur bei Sinus
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
50
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
Q = 30°
Datenblatt / Data sheet
40
TAV
TAV
(switching losses should be considered separately)
(switching losses should be considered separately)
Q = 30°
A70
TAV
TAV
60°
60
/ 94
(Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
(Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
TT122N
100
Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Strombelastung je Zweig / Current load per arm
90°
80
60°
I
TAVM
120°
I
TAVM
[A]
[A]
100
150
90°
180°
0°
0°
120°
120
C
C
= f(I
= f(I
Seite/page
0
TAVM
TAVM
0
200
)
)
180°
140
180°
DC
180°
7/12