FF800R17KF6CB2 Infineon Technologies AG, FF800R17KF6CB2 Datasheet

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FF800R17KF6CB2

Manufacturer Part Number
FF800R17KF6CB2
Description
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Datasheet
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral der Diode
I
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
Gateladung
gate charge
Eingangskapazität
input capacitance
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
prepared by: Alfons Wiesenthal
approved by: Christoph Lübke: 10.11.2000
IGBT-Module
IGBT-Modules
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Technische Information / Technical Information
2
t - value, Diode
T
T
t
T
tp = 1 ms
V
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
I
I
I
V
f = 1MHz,T
f = 1MHz,T
V
V
V
date of publication: 10.11.2000
revision: serie
FF 800 R 17 KF6C B2
C
C
C
P
C
C
C
R
GE
CE
CE
CE
= 1 ms, T
= 800A, V
= 800A, V
= 65 mA, V
=25°C, Transistor
= 80 °C
= 25 °C
= 0V, t
= 1700V, V
= 1700V, V
= 0V, V
= -15V ... +15V
p
= 10ms, T
vj
vj
GE
C
GE
GE
= 25°C,V
= 25°C,V
= 80°C
CE
= 20V, T
= 15V, T
= 15V, T
GE
GE
= V
= 0V, T
= 0V, T
GE
1(8)
Vj
, T
CE
CE
vj
= 125°C
vj
vj
vj
= 25°C
= 25V, V
= 25V, V
= 25°C
= 125°C
vj
vj
= 25°C
= 25°C
= 125°C
GE
GE
= 0V
= 0V
V
V
I
V
V
V
C,nom.
I
I
C
C
I
I
P
CE sat
CRM
FRM
GE(th)
Q
GES
CES
I
ISOL
CES
I
GES
I
2
C
F
res
tot
ies
G
t
min.
4,5
+/- 20V
1700
1300
1600
1600
typ.
6,25
0,02
800
800
170
2,6
3,1
5,5
9,6
2,7
52
10
4
FF800R17KF6C B2
max.
400
3,1
3,6
6,5
1,5
80
kA
kW
mA
mA
µC
kV
nF
nF
nA
V
A
A
A
V
A
A
V
V
V
2
s

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FF800R17KF6CB2 Summary of contents

Page 1

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom ...

Page 2

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) ...

Page 3

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operation temperature Lagertemperatur storage temperature Mechanische Eigenschaften / Mechanical ...

Page 4

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Ausgangskennlinie (typisch) Output characteristic (typical) 1800 1600 1400 1200 1000 800 600 400 200 0 0,0 0,5 1,0 Ausgangskennlinienfeld (typisch) Output characteristic (typical) 1800 1600 VGE = 20V 1400 VGE = 15V VGE ...

Page 5

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Übertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical) 1800 1600 1400 1200 1000 800 600 400 200 Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical) 1800 1600 Tvj=25°C 1400 Tvj=125°C 1200 ...

Page 6

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Schaltverluste (typisch) E Switching losses (typical) 1400 1200 1000 800 600 400 200 0 0 200 400 Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) 1200 1000 Eoff Eon Erec 800 600 400 200 0 0 ...

Page 7

Technische Information / Technical Information IGBT-Module FF 800 R 17 KF6C B2 IGBT-Modules Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance 0,1 0,01 0,001 0,001 0, [K/kW] : IGBT i [sec] : IGBT i r [K/kW] : Diode i [sec] : ...

Page 8

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Äußere Abmessungen / external dimensions FF 800 R 17 KF6C B2 8(8) FF800R17KF6C B2 ...

Page 9

Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...

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