BSM15GD120DN2E3224 Infineon Technologies AG, BSM15GD120DN2E3224 Datasheet
BSM15GD120DN2E3224
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BSM 15 GD 120 DN2 IGBT Power Module • Power module • 3-phase full-bridge • Including fast free-wheel diodes • Package with insulated metal base plate Type BSM 15 GD 120 DN2 BSM 15 GD120DN2E3224 Maximum Ratings Parameter Collector-emitter voltage ...
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BSM 15 GD 120 DN2 Electrical Characteristics Parameter Static Characteristics Gate threshold voltage 0 CE, C Collector-emitter saturation voltage °C ...
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BSM 15 GD 120 DN2 Electrical Characteristics Parameter Switching Characteristics, Inductive Load at T Turn-on delay time V = 600 Gon Rise time V = 600 V, ...
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BSM 15 GD 120 DN2 Power dissipation = ( tot C parameter: T 150 °C j 150 W 130 120 P tot 110 100 ...
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BSM 15 GD 120 DN2 Typ. output characteristics parameter µ ° 17V 15V 24 I 13V C 11V ...
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BSM 15 GD 120 DN2 Typ. gate charge = ( Gate parameter puls 600 ...
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BSM 15 GD 120 DN2 Typ. switching time inductive load , T = 125° par 600 ± ...
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BSM 15 GD 120 DN2 Forward characteristics of fast recovery I = f(V ) reverse diode F F parameter =125° ...
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BSM 15 GD 120 DN2 Gehäusemaße / Schaltbild Package outline / Circuit diagramm 9 2006-01-31 ...
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Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...