BSM75GB120DLC Infineon Technologies AG, BSM75GB120DLC Datasheet
BSM75GB120DLC
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BSM75GB120DLC Summary of contents
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... V 1200 V CES C,nom. I 170 150 A CRM P 690 W tot V +/- 20V V GES 150 A FRM 2,5 kV ISOL min. typ. max 2,1 2 sat - 2,4 2 4,5 5,5 6,5 V GE(th 0,8 - µ 5 ies res CES 400 nA GES DB_BSM75GB120DLC_3.0 2003-01-10 ...
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... 2(8) min. typ. max 0,05 - µs d,on - 0,06 - µ 0,05 - µ 0,05 - µ 0,30 - µs d,off - 0,35 - µ 0,05 - µ 0,07 - µ 7 off I - 540 - 1 CC‘+EE‘ min. typ. max 1,8 2 1,7 2 105 - µ 16,5 - µ rec - 6 DB_BSM75GB120DLC_3.0 2003-01-10 ...
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... Transistor / transistor, DC Diode/Diode, DC pro Modul / per module = grease Schraube / screw M6 Anschlüsse / terminals M5 3(8) min. typ. max 0,18 K/W thJC - - 0,50 K 0,05 - K/W thCK 150 °C vj max T -40 - 125 ° -40 - 125 °C stg 275 M 3 2 250 g DB_BSM75GB120DLC_3.0 2003-01-10 ...
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... Tvj = 125°C 100 0,0 0,5 1,0 Ausgangskennlinienfeld (typisch) Output characteristic (typical) 150 125 VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V 100 VGE = 11V VGE = 9V VGE = 0,0 0,5 1,0 BSM75GB120DLC 15V GE 1,5 2,0 2,5 V [V] CE 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 V [ 3,0 3,5 4 125°C vj 4,0 4,5 5,0 DB_BSM75GB120DLC_3.0 2003-01-10 ...
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... Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical) 150 125 100 0,0 0,5 BSM75GB120DLC Tvj = 25°C Tvj = 125° [V] GE Tvj = 25°C Tvj = 125°C 1,0 1,5 2,0 V [ 20V 2,5 3,0 DB_BSM75GB120DLC_3.0 2003-01-10 ...
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... BSM75GB120DLC off C V =±15V 600V 125° 100 I [ off V =±15V , I = 75A , V = 600V , 6( rec C 125 150 ) , rec G = 125° DB_BSM75GB120DLC_3.0 2003-01-10 ...
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... IC,Modul 100 IC,Chip 200 BSM75GB120DLC Z thJC 0 20,13 60,93 0,002 0,03 65,43 173,31 0,002 0, ±15V 400 600 800 1000 V [ (t) Zth:Diode Zth:IGBT 79,4 19,54 0,066 1,655 189,08 72,18 0,072 0,682 = 125° 1200 1400 DB_BSM75GB120DLC_3.0 2003-01-10 ...
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... Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM75GB120DLC 8(8) DB_BSM75GB120DLC_3.0 2003-01-10 ...
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