BSM75GB120DN2 Infineon Technologies AG, BSM75GB120DN2 Datasheet
BSM75GB120DN2
Available stocks
Related parts for BSM75GB120DN2
BSM75GB120DN2 Summary of contents
Page 1
BSM 75 GB 120 DN2 IGBT Power Module • Half-bridge • Including fast free-wheeling diodes • Package with insulated metal base plate Type BSM 75 GB 120 DN2 Maximum Ratings Parameter Collector-emitter voltage Collector-gate voltage ...
Page 2
BSM 75 GB 120 DN2 Electrical Characteristics Parameter Static Characteristics Gate threshold voltage CE, C Collector-emitter saturation voltage °C ...
Page 3
BSM 75 GB 120 DN2 Electrical Characteristics Parameter Switching Characteristics, Inductive Load at T Turn-on delay time V = 600 Gon Rise time V = 600 V, ...
Page 4
BSM 75 GB 120 DN2 Power dissipation = ( tot C parameter: T 150 °C j 650 W 550 P 500 tot 450 400 350 300 250 200 150 100 Collector ...
Page 5
BSM 75 GB 120 DN2 Typ. output characteristics parameter µ ° 150 A 130 17V 15V 120 I 13V C 11V 110 9V 100 7V ...
Page 6
BSM 75 GB 120 DN2 Typ. gate charge = ( Gate parameter puls 600 100 200 Reverse ...
Page 7
BSM 75 GB 120 DN2 Typ. switching time inductive load , T = 125° par 600 ± 15V ...
Page 8
BSM 75 GB 120 DN2 Forward characteristics of fast recovery I = f(V ) reverse diode F F parameter 150 A 130 120 I F 110 100 90 T =125° ...
Page 9
BSM 75 GB 120 DN2 Package Outlines Dimensions in mm Weight: 250 g Circuit Diagram 9 Oct-21-1997 ...
Page 10
Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...