SPL E10N81G2 OSRAM Opto Semiconductors Inc, SPL E10N81G2 Datasheet - Page 3

• Manufacturer Part Number: SPL E10N81G2
• Manufacturer: OSRAM Opto Semiconductors Inc

Specifications of SPL E10N81G2

• Peak Wavelength: 811nm
• Beam Divergence Parallel: 10°
• Beam Divergence Perpendicular: 70°
• Operating Temperature Classification: Commercial
• Power Supply Requirement: Single
• Operating Supply Voltage (max): 20V
• Pin Count: 2
• Lead Free Status / RoHS Status: Not Compliant

Dioden-Kennwerte (25 °C Kühlwassertemperatur)
Diode Characteristics (25 °C coolant temperature)
Parameter
Parameter
Optische Ausgangsleistung
Optical output power
Optische Ausgangsleistung pro Laserbarren
Optical Output power per bar
Emissonswellenlänge
Emission wavelength
Spektrale Breite (Halbwertsbreite)
Spectral width (FWHM)
Schwellstrom
Threshold current
Kennliniensteigung
Slope efficiency
Kennliniensteigung pro Laserbarren
Slope efficiency per bar
Betriebsstrom
Operating current
Betriebsspannung
Operating voltage
Konversionseffizienz (elektrisch zu optisch)
Conversion efficiency (electrical to optical)
Temperaturkoeffizient der Wellenlänge
Temperature coefficient of wavelength
Strahldivergenz senkrecht (Vollwinkel,1/e
Beam divergence fast axis (full angle,1/e
Strahldivergenz parallel (Vollwinkel,1/e
Beam divergence slow axis (full angle,1/e
TE Polarisation
TE Polarization
Thermischer Widerstand
(pn-Übergang - Kühlwasser)
Thermal resistance (junction to coolant)
Abstand der Laserbarren
Bar-to-bar distance
2007-07-18
1)
1)
1) 3)
1) 3)
1)
1) 2)
1) 2)
1)
1)
1)
1)
1) 2)
1) 2)
2
)
2
2
)
2
)
1)
)
1)
1)
Symbol
Symbol
P
P
λ
Δλ
I
Δ
Δ
I
V
η
Δλ/Δ
θ
θ
P
R
th
op
⊥
||
con
P
P
opt
bar
op
TE
th
/ΔΙ
/ΔΙ
3
T
min.
–
–
805
–
–
10.0
1.00
60
17
48
–
–
–
90
–
–
typ.
600
60
808
3
12
11.5
1.15
65
18
52
0.25
65
8
–
0.3
1.6
Values
Werte
max.
–
–
811
5
15
12.5
1.25
70
20
–
0.31
70
10
–
–
–
SPL E10N81G2
Einheit
Unit
W
nm
nm
A
W/A
A
V
%
nm/K
deg
deg
%
K/W