ET1275 Fuji Electric holdings CO.,Ltd, ET1275 Datasheet

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ET1275

Manufacturer Part Number
ET1275
Description
Manufacturer
Fuji Electric holdings CO.,Ltd
Datasheet

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
ET1275
Manufacturer:
FUJI
Quantity:
1 000
Part Number:
ET1275
Manufacturer:
FUJITSU/富士通
Quantity:
20 000
Part Number:
ET1275
Quantity:
55
ET1275
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
Item
コレクタ・ベース間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
コレクタ・エミッタ間電圧
直流電流増幅率
コレクタ・エミッタ飽和電圧
ベース・エミッタ飽和電圧
スイッチング時間
コレクタ・ベース間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタ電流
ベース電流
コレクタ損失
接合部温度
保存温度
質量
絶縁耐圧      AC.1min
締付けトルク
Item
絶縁形 
絶縁形 
絶縁形 
絶縁形 
絶縁形 Insulated Type
高耐圧 
高耐圧 
パワートランジスタドライブ
パワートランジスタドライブ
パワートランジスタドライブ          Buffer Drive Transistor
高耐圧 
高耐圧 
高耐圧 High Voltage
パワートランジスタドライブ
パワートランジスタドライブ
大電力
大電力
大電力スイッチング
大電力
大電力
熱 抵 抗
電気的特性
電気的特性
Item
電気的特性
電気的特性
電気的特性
Absolute maximum ratings (Tc=25°C unless otherwise specified)
熱的特性
熱的特性
熱的特性
熱的特性
熱的特性 : : : : : Thermal characteristics
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
用途
用途
用途: : : : : Applications
用途
用途
特長
特長
特長: : : : : Features
特長
特長
スイッチング
スイッチング          High Power Switching
スイッチング
スイッチング
Electrical characteristics (T
: Maximum ratings and characteristic
 DC
D C
1ms
1ms
one Transistor
DC
(15A)
Symbol
V
V
V
V
I
I
-Ic
I
I
P
T
T
m
Viso
Mounting *1
R
R
R
B
C
CP
BP
Symbol
Symbol
V
V
V
V
V
I
I
-V
h
V
V
t
t
t
C
j
stg
CBO
CEO
CEO(SUS)
EBO
CBO
EBO
on
stg
f
th(j-c)
th(j-c)
th(c-f)
FE
CBO
CEO
CEO(SUS)
CEX(SUS)
EBO
CE(Sat)
BE(Sat)
CE
c
=25°C unless otherwise specified)
Rating
With Thermal Compound
Test Conditions
I
I
I
IC = 12A, ± I
I
V
V
I
I
I
I
-I
Diode
CBO
CEO
C
EBO
C
C
C
B1
Transistor
-40 to +125
B2
CBO
EBO
Test Conditions
= 1A
= 12A, V
= 12A, I
= 12A
= +1A
1000
1000
+150
2500
= 1A
120
= 1mA
= 1mA
= 200mA
15
30
33
= 1000V
= 6V
6
3
5
0.8
-
-
B
CE
B
= 1A
=1A
= 5V
Unit
°C
°C
N・m
V
V
V
V
A
A
A
A
A
W
g
V
FUJI POWER TRANSISTOR MODULE
Note:
*1:推奨値 Recommendable Value;
CASE
CASE
CASE
UL
UL
UL
CASE
CASE
UL
UL
外形寸法
外形寸法
外形寸法: : : : : Outline Drawings
外形寸法
外形寸法
等 価 回 路
等 価 回 路
等 価 回 路
等 価 回 路
等 価 回 路 : : : : :
Equivalent Circuit Schematic
Min.
Min.
1000
1000
2 0
700
800
0.4to0.8N・m[4 to 8kgf・cm](M3)
M101
M101
M101
M101
M101
E82988(M)
E82988(M)
E82988(M)
E82988(M)
E82988(M)
6
Typ.
Typ.
0.05
-
200
Max.
Max.
15.0
1.0
1.0
2.0
2.5
3.0
2.0
Units
Units
°C/W
°C/W
°C/W
V
V
V
V
V
mA
mA
V
-
V
V
µs
µs
µs
1

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