BSM200GA120DN2 Infineon Technologies, BSM200GA120DN2 Datasheet
BSM200GA120DN2
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BSM 200 GA 120 DN2 IGBT Power Module • Single switch • Including fast free-wheeling diodes • Package with insulated metal base plate Type BSM 200 GA 120 DN2 BSM 200 GA 120 DN2 S Maximum Ratings Parameter Collector-emitter voltage ...
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BSM 200 GA 120 DN2 Electrical Characteristics Parameter Static Characteristics Gate threshold voltage CE, C Collector-emitter saturation voltage 200 ...
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BSM 200 GA 120 DN2 Electrical Characteristics Parameter Switching Characteristics, Inductive Load at T Turn-on delay time V = 600 4.7 Gon Rise time V = 600 V, ...
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BSM 200 GA 120 DN2 Power dissipation tot C parameter: T 150 °C j 1600 W P tot 1200 1000 800 600 400 200 Collector current ...
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BSM 200 GA 120 DN2 Typ. output characteristics parameter µ ° 400 A 17V 15V I 13V C 300 11V 9V 7V 250 200 150 ...
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BSM 200 GA 120 DN2 Typ. gate charge Gate parameter 200 A C puls 600 200 400 600 ...
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BSM 200 GA 120 DN2 Typ. switching time inductive load , T = 125° par 600 ± ...
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BSM 200 GA 120 DN2 Forward characteristics of fast recovery I = f(V ) reverse diode F F parameter 400 300 250 T =125°C j 200 150 100 50 0 0.0 0.5 1.0 1.5 Transient ...
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BSM 200 GA 120 DN2 Package Outlines Dimensions in mm Weight: 420 g Circuit Diagram 9 Oct-27-1997 ...
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... Technische Information / Technical Information IGBT-Module BSM200GA120DN2 IGBT-Modules Anhang C-Serie Appendix C-series Gehäuse spezifische Werte Housing specific values Modulinduktivität stray inductance module Gehäusemaße C-Serie Package outline C-series typ sCE Appendix C-series nH Appendix_C-Serie_BSM200GA120DN2.xls 2001-09-20 ...
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Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...