FP50R12KS4C Infineon Technologies, FP50R12KS4C Datasheet
FP50R12KS4C
Specifications of FP50R12KS4C
Available stocks
Related parts for FP50R12KS4C
FP50R12KS4C Summary of contents
Page 1
... DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current prepared by: A.Schulz approved by: M.Hierholzer FP50R12KS4C T = 80° ms 25° ms 150°C P ...
Page 2
... Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschlußverhalten SC Data FP50R12KS4C RMS Hz min. NTC connected to Baseplate T = 150° 150° ...
Page 3
... Switching losses and conditions Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper Durchlaßspannung forward voltage Schaltverluste und -bedingungen Switching losses and conditions NTC-Widerstand/ NTC-Thermistor Nennwiderstand rated resistance Abweichung von R 100 deviation of R 100 Verlustleistung power dissipation B-Wert B-value FP50R12KS4C T = 25° 0V 25° 0V 125°C, I ...
Page 4
... Innere Isolation internal insulation CTI comperative tracking index Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Gewicht weight FP50R12KS4C Gleichr. Diode/ Rectif. Diode Trans. Wechsr./ Trans. Inverter Diode Wechsr./ Diode Inverter Trans. Bremse/ Trans. Brake Diode Bremse/ Diode Brake Gleichr. Diode/ Rectif. Diode =1W/m*K Paste Trans ...
Page 5
... Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch) Output characteristic Inverter (typical) 100 Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch) Output characteristic Inverter (typical) 100 VGE = 20V 90 VGE = 15V 80 VGE = 12V VGE = 10V 70 VGE = FP50R12KS4C 25° 125° [ 125° [ DB-PIM-S_IGBT_V2.xls 2001-11-28 ...
Page 6
... Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Übertragungscharakteristik Wechselr. (typisch) Transfer characteristic Inverter (typical) 100 Durchlaßkennlinie der Freilaufdiode Wechselr. (typisch) Forward characteristic of FWD Inverter (typical) 100 0,5 FP50R12KS4C 25° 125° [ 25° 125°C 1 1,5 V [ 2,5 DB-PIM-S_IGBT_V2.xls 2001-11-28 ...
Page 7
... Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Schaltverluste Wechselr. (typisch) Switching losses Inverter (typical Schaltverluste Wechselr. (typisch) Switching losses Inverter (typical Eon Eoff 8 Erec FP50R12KS4C off T = 125° ± Eon Eoff Erec [ off T = 125° 600 V C rec C CC 15Ohm Gon Goff ...
Page 8
... IGBT-Module IGBT-Modules Transienter Wärmewiderstand Wechselr. Transient thermal impedance Inverter 1 0,1 0,01 0,001 0,01 Sicherer Arbeitsbereich Wechselr. (RBSOA) Reverse bias save operating area Inverter (RBSOA) 120 100 200 FP50R12KS4C Z thJC Zth-IGBT Zth-FWD 0 125° IC,Modul IC,Chip 400 600 800 V [ (t) ...
Page 9
... Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Ausgangskennlinienfeld Brems-Chopper-IGBT (typisch) Output characteristic brake-chopper-IGBT (typical 0,5 1 Durchlaßkennlinie der Brems-Chopper-Diode (typisch) Forward characteristic of brake-chopper-FWD (typical 0,5 FP50R12KS4C Tj = 25° 125°C 1,5 2 2 25° 125° [ 2,5 3 DB-PIM-S_IGBT_V2.xls 2001-11-28 ...
Page 10
... IGBT-Module IGBT-Modules Durchlaßkennlinie der Gleichrichterdiode (typisch) Forward characteristic of Rectifier Diode (typical) 100 0,2 NTC- Temperaturkennlinie (typisch) NTC- temperature characteristic (typical) 100000 10000 1000 100 FP50R12KS4C 25° 150°C 0,4 0,6 0 (T) Rtyp 60 80 100 T [°C] C 10/ 1,2 1,4 120 ...
Page 11
... Gehäuseabmessungen/ Package outlines Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics valid in combination with the belonging technical notes. FP50R12KS4C ...
Page 12
Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...